[發(fā)明專利]一種用于高壓焊點(diǎn)密度集成電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710565671.6 | 申請(qǐng)日： | 2017-07-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107147098A | 公開（公告）日： | 2017-09-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 劉吉平;張懷東;周蘊(yùn)言;馮冰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 深圳市航順芯片技術(shù)研發(fā)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H02H9/04 | 分類號(hào)： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 高壓 密度 集成電路 esd 保護(hù) 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種用于高壓焊點(diǎn)密度集成電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括地線、第一保護(hù)器，第二保護(hù)器，第一端口，第二端口以及內(nèi)部電路，所述地線兩側(cè)分別設(shè)置有所述第一保護(hù)器以及所述第二保護(hù)器，所述第一保護(hù)器分別與所述第一端口以及所述內(nèi)部電路相連接，所述第一端口與所述內(nèi)部電路相連接，所述第二保護(hù)器分別與所述第二端口以及所述內(nèi)部電路相連接，所述第二端口與所述內(nèi)部電路相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高壓焊點(diǎn)密度集成電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述第一保護(hù)器為第一NMOS管或者第一二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于高壓焊點(diǎn)密度集成電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，所述第二保護(hù)器為第二NMOS管或者第二二極管。
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