[發明專利]一種缺陷性分支桿菌以及利用其制備去氫表雄酮的方法在審
| 申請號: | 201710565607.8 | 申請日: | 2017-07-12 |
| 公開(公告)號: | CN107267418A | 公開(公告)日: | 2017-10-20 |
| 發明(設計)人: | 陽飛;蘇正定;賀一君;系祖斌;盧方欣;張華山;成細瑤 | 申請(專利權)人: | 湖北共同生物科技有限公司;湖北工業大學 |
| 主分類號: | C12N1/20 | 分類號: | C12N1/20;C12P33/06;C07J1/00;C12R1/32 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 442700 湖北省十堰市丹江*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 缺陷 分支 桿菌 以及 利用 制備 去氫表雄酮 方法 | ||
1.一種缺陷性分支桿菌,其特征在于,其為3β-羥基氧化酶系缺陷性分支桿菌,保藏號為:CCTCC NO:M 2017348。
2.根據權利要求1所述的一種缺陷性分支桿菌,其特征在于,所述3β-羥基氧化酶系缺陷性分支桿菌由誘變株Mycobacterium sp.GTF-69篩選獲得。
3.根據權利要求2所述的一種缺陷性分支桿菌,其特征在于,所述3β-羥基氧化酶系由CRISPAR/CAS9基因敲除方法敲除。
4.一種利用權利要求1~3所述缺陷性分支桿菌制備去氫表雄酮的方法,其特征在于,其包括如下步驟:
(1)利用缺陷性分支桿菌對植物甾醇進行發酵轉化;
(2)發酵產物經濃縮、甲醇萃取后再提純,得到去氫表雄酮晶體。
5.根據權利要求4所述的制備去氫表雄酮的方法,其特征在于,所述步驟(1)包括,將缺陷性分支桿菌在種子培養基中進行繁殖,待種子培養基OD600=10~12時,以9~16%的接種量將其接入裝有發酵培養基中進行發酵轉化。
6.根據權利要求5所述的制備去氫表雄酮的方法,其特征在于,所述種子培養基包括如下質量百分比的組分:葡萄糖1~2%,硝酸鈉0.3~0.7%,磷酸二氫鉀0.03~0.06%,硫酸鎂0.03~0.07%,玉米漿4~6%;所述種子培養基的pH為7.0~7.4。
7.根據權利要求5所述的制備去氫表雄酮的方法,其特征在于,所述發酵培養基包括如下質量百分比的組分:植物甾醇3~4%,硝酸鈉0.3~0.6%,磷酸二氫鉀0.03~0.06%,硫酸鎂0.04~0.08%,玉米漿3~6%,豆餅油14~16%;所述發酵培養基的pH為6.8~7.6。
8.根據權利要求5所述的制備去氫表雄酮的方法,其特征在于,所述發酵條件為溫度28~33℃,罐壓0.03~0.06MPa,攪拌轉速180~240rpm,發酵周期5~8天。
9.根據權利要求5所述的制備去氫表雄酮的方法,其特征在于,所述步驟(2)包括如下步驟:
a)提純去氫表雄酮的方法,將步驟(1)制得的發酵產物分層,取油層進行減壓濃縮;
b)甲醇萃取經步驟a)得到的濃縮液,再濃縮、烘干,得粗品,粗品經重結晶得去氫表雄酮晶體。
10.根據權利要求9所述的制備去氫表雄酮的方法,其特征在于,所述步驟b)利用甲苯重結晶。
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