[發(fā)明專利]接合裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710565525.3
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107611058B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 稻益壽史
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發(fā)明提供一種能夠抑制微粒的產(chǎn)生的接合裝置。實施方式的一技術(shù)方案的接合裝置具備上側(cè)保持部、下側(cè)保持部、推壓部、以及吸附保持部。上側(cè)保持部從作為非接合面的上表面?zhèn)缺３值?基板。下側(cè)保持部設(shè)置于上側(cè)保持部的下方，使第2基板與第1基板相對而從下表面?zhèn)缺３值?基板。推壓部從上方按壓第1基板的中心部而使第1基板的中心部與第2基板接觸。吸附保持部設(shè)置成相對于上側(cè)保持部升降自如，利用吸附來保持由上側(cè)保持部保持之前的第1基板的上表面的一部分。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及接合裝置。

背景技術(shù)

以往，為了滿足半導體器件的高集成化的要求，提出了使用將半導體器件3維地層疊的3維集成技術(shù)。作為使用了該3維集成技術(shù)的系統(tǒng)，公知有將例如半導體晶圓(以下稱為“晶圓”)等基板彼此接合的接合系統(tǒng)(參照例如專利文獻1)。

在該接合系統(tǒng)中，在對第1基板、第2基板的要接合的表面進行了改性之后使該表面親水化，之后，在接合裝置中，利用范德華力和氫鍵(分子間力)接合第1基板、第2基板。

不過，在上述的接合裝置中，例如上側(cè)保持部從第1基板的作為非接合面的上表面?zhèn)仍谡麄€面上吸附保持該第1基板。因此，對于向接合裝置輸送第1基板的輸送裝置，保持第1基板的作為接合面的下表面?zhèn)鹊闹苓叾蛏蟼?cè)保持部交接。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-18919號公報

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，在上述的接合裝置中，是以第1基板的接合面被輸送裝置保持著的狀態(tài)進行交接的結(jié)構(gòu)，因此，例如微粒有可能附著于例如第1基板。因而，上述的接合裝置在抑制微粒這一點存在進一步改善的余地。

實施方式的一技術(shù)方案的目的在于提供一種能夠抑制微粒的產(chǎn)生的接合裝置。

用于解決問題的方案

實施方式的一技術(shù)方案的接合裝置具備上側(cè)保持部、下側(cè)保持部、推壓部、以及吸附保持部。上側(cè)保持部從作為非接合面的上表面?zhèn)缺３值?基板。下側(cè)保持部設(shè)置于所述上側(cè)保持部的下方，使第2基板與所述第1基板相對而從下表面?zhèn)缺３值?基板。推壓部從上方按壓所述第1基板的中心部而使所述第1基板的中心部與所述第2基板接觸。吸附保持部被設(shè)置成相對于所述上側(cè)保持部升降自如，利用吸附來保持由所述上側(cè)保持部保持之前的所述第1基板中的上表面的一部分。

發(fā)明的效果

根據(jù)實施方式的一技術(shù)方案，在接合裝置中，能夠抑制微粒的產(chǎn)生。

附圖說明

圖1是表示實施方式的接合系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。

圖2是表示實施方式的接合系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖。

圖3是第1基板和第2基板的示意側(cè)視圖。

圖4是表示位置調(diào)節(jié)裝置的結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖。

圖5A是表示翻轉(zhuǎn)用傳送部的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。

圖5B是表示翻轉(zhuǎn)用傳送部的結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖。

圖6A是表示輸送裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。

圖6B是表示輸送裝置的結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖。

圖7是表示基板調(diào)溫裝置的結(jié)構(gòu)的示意側(cè)視圖。

圖8是表示接合裝置的結(jié)構(gòu)的示意俯視圖。