[發(fā)明專利]接合裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710565525.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107611058B | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 稻益壽史 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接合 裝置 | ||
1.一種接合裝置,其特征在于,
該接合裝置具備:
上側(cè)保持部,其從作為非接合面的上表面?zhèn)缺3值?基板;
下側(cè)保持部,其設(shè)置于所述上側(cè)保持部的下方,使第2基板與所述第1基板相對(duì)而從下表面?zhèn)缺3衷摰?基板;
推壓部,其從上方按壓所述第1基板的中心部而使所述第1基板的中心部與所述第2基板接觸;以及
吸附保持部,其設(shè)置成相對(duì)于所述上側(cè)保持部升降自如,利用吸附來保持由所述上側(cè)保持部保持之前的所述第1基板的上表面的一部分,
所述吸附保持部具備:
基部,其相對(duì)于所述上側(cè)保持部升降自如;
多個(gè)吸氣流路,其形成于所述基部,供吸附所述第1基板的吸氣流通;以及
多個(gè)吸附構(gòu)件,其設(shè)置于所述多個(gè)吸氣流路,與由所述上側(cè)保持部保持之前的所述第1基板接觸而吸附所述第1基板,其中所述吸附構(gòu)件包括能夠在上下方向上伸縮的彈性構(gòu)件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的接合裝置,其特征在于,
所述吸附保持部具備供所述推壓部貫穿的貫穿孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的接合裝置,其特征在于,
所述吸附構(gòu)件以在與所述第1基板接觸之前的狀態(tài)下從所述基部的靠所述第1基板側(cè)的端面突出的方式被定位。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的接合裝置,其特征在于,
該接合裝置具備控制所述吸附保持部的控制部,
所述控制部在使所述吸附保持部利用吸附保持了所述第1基板之后使所述吸附保持部上升,使所保持的所述第1基板向所述上側(cè)保持部交接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的接合裝置,其特征在于,
所述控制部在將所述第1基板交接到所述上側(cè)保持部之后使所述吸附保持部上升到比所述上側(cè)保持部的保持面靠上方的位置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的接合裝置,其特征在于,
所述上側(cè)保持部利用吸附來保持所述第1基板,
所述吸附保持部的吸附力設(shè)定成所述上側(cè)保持部的吸附力以下。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710565525.3/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:用于處理基板的設(shè)備和方法
- 下一篇:配線基板接合體
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





