[發明專利]一種離子注入角度的監控方法

有效

• 申請號: 201710564657.4
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107195565B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發明（設計）人: 袁永
• 申請（專利權）人: 邳州市鑫盛創業投資有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 安徽華井道知識產權代理有限公司 34195
• 代理人: 徐展

本發明提供了一種離子注入角度的監控方法。所述離子注入角度的監控方法，包括：在硅襯底形成氧化層；在所述氧化層表面形成多晶硅層，并對所述多晶硅層進行圖案化處理以形成多個相互間隔的多晶硅區域；在所述多晶硅層表面形成多個絕緣阻擋塊，所述多個絕緣阻擋塊相互間隔并形成相應的開口來將所述多晶硅區域裸露出來；通過所述開口并采用一定的角度對各個多晶硅區域進行離子注入處理；對所述多晶硅區域進行電阻測試，來檢測在所述離子注入過程中的離子注入角度是否出現偏差。本發明提供的方法可以實現簡單方便高效地監控離子注入角度。

【技術領域】

本發明涉及半導體芯片制造技術領域，特別地，涉及一種離子注入角度的監控方法。

【背景技術】

在電子工業中，離子注入是半導體制造工藝中的一種非常重要的摻雜技術，也是控制晶體管閾值電壓的一個重要手段。在當代半導體芯片，特別是大規模集成電路芯片的制造工藝中，離子注入技術可以說是一種必不可少的手段。

在半導體芯片制造過程中，離子注入工藝的關鍵參數就是注入劑量、注入能量和注入角度。目前離子注入的監控手段，可以對注入劑量和注入能量進行一些監控，但是對于離子注入角度，暫時沒有可靠且高效的辦法來進行監控。

如果離子注入角度出現偏差，容易造成半導體芯片內部電路的漏電流、驅動電流等出現問題，并且此類問題一般都比較隱蔽，不容易查出根源并解決。

有鑒于此，有必要提供一種離子注入角度的監控方法，以解決現有技術存在的上述問題。

【發明內容】

本發明的其中一個目的在于為解決上述問題而提供一種離子注入角度的監控方法。

本發明提供的離子注入角度的監控方法，包括：在硅襯底形成氧化層；在所述氧化層表面形成多晶硅層，并對所述多晶硅層進行圖案化處理以形成多個相互間隔的多晶硅區域；在所述多晶硅層表面形成多個絕緣阻擋塊，所述多個絕緣阻擋塊相互間隔并形成相應的開口來將所述多晶硅區域裸露出來；通過所述開口并采用一定的角度對各個多晶硅區域進行離子注入處理；對所述多晶硅區域進行電阻測試，來檢測在所述離子注入過程中的離子注入角度是否出現偏差。

作為在本發明提供的離子注入角度的監控方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述氧化層為二氧化硅層，其是在800℃～1300℃的生長條件下在所述硅襯底表面生長而成，且所述氧化層的厚度可以為0.1μm～3.00μm。

作為在本發明提供的離子注入角度的監控方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述多晶硅層是在400℃～1000℃的生長條件下在所述氧化層表面生長而成，且所述多晶硅層的厚度可以為0.01μm～1.00μm。

作為在本發明提供的離子注入角度的監控方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述多個相互間隔的多晶硅區域的大小各不相同，且沿預定方向呈逐漸增大的區域。

作為在本發明提供的離子注入角度的監控方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述絕緣層的開口大小與所述多晶硅區域的大小相對應。

作為在本發明提供的離子注入角度的監控方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述絕緣層的開口大小沿述預定方向呈逐漸增大的區域。

作為在本發明提供的離子注入角度的監控方法的一種改進，在一種優選實施例中，所述絕緣層的多個相互間隔的絕緣阻擋塊用于在離子注入時在所述多晶硅區域形成注入盲區，以使至少部分多晶硅區域的有效離子注入面積不同。

作為在本發明提供的離子注入角度的監控方法的一種改進，在一種優選實施例中，還包括：通過退火處理激活注入到所述多晶硅區域的離子。