[發(fā)明專利]一種離子注入角度的監(jiān)控方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710564657.4
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN107195565B
• 公開（公告）日: 2021-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁永
• 申請（專利權(quán)）人: 邳州市鑫盛創(chuàng)業(yè)投資有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 安徽華井道知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34195
• 代理人: 徐展

1.一種離子注入角度的監(jiān)控方法，其特征在于，包括：

在硅襯底形成氧化層；

在所述氧化層表面形成多晶硅層，并對所述多晶硅層進(jìn)行圖案化處理以形成多個相互間隔的多晶硅區(qū)域；

在所述多晶硅層表面形成多個絕緣阻擋塊，所述多個絕緣阻擋塊相互間隔并形成相應(yīng)的開口來將所述多晶硅區(qū)域裸露出來；

通過所述開口并采用一定的角度對各個多晶硅區(qū)域進(jìn)行離子注入處理；

對所述多晶硅區(qū)域進(jìn)行電阻測試，來檢測在所述離子注入過程中的離子注入角度是否出現(xiàn)偏差；

所述氧化層為二氧化硅層，其是在800℃～1300℃的生長條件下在所述硅襯底表面生長而成，且所述氧化層的厚度為0.1μm～3.00μm；

所述多晶硅層是在400℃～1000℃的生長條件下在所述氧化層表面生長而成，且所述多晶硅層的厚度為0.01μm～1.00μm；

所述多個相互間隔的多晶硅區(qū)域的大小各不相同，且沿預(yù)定方向呈逐漸增大的區(qū)域；

所述絕緣層的開口大小與所述多晶硅區(qū)域的大小相對應(yīng)；

所述絕緣層的開口大小沿述預(yù)定方向呈逐漸增大的區(qū)域；

所述絕緣層的多個相互間隔的絕緣阻擋塊用于在離子注入時在所述多晶硅區(qū)域形成注入盲區(qū)，以使至少部分多晶硅區(qū)域的有效離子注入面積不同；

還包括：通過退火處理激活注入到所述多晶硅區(qū)域的離子。