[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板

有效

• 申請號: 201710564648.5
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN107359126B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 蘇同上;袁廣才;王東方;趙策;周斌;劉軍;邵繼峰;王慶賀;張揚
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張京波;曲鵬

本發明公開了一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板，涉及顯示技術領域。制備方法包括：在基底上依次形成有源層、柵絕緣層和柵電極，其中，有源層包括溝道區域和導體化區域，柵電極在基底上的正投影包含溝道區域在基底上的正投影。薄膜晶體管包括：依次設置在基底上的有源層、柵絕緣層和柵電極，有源層包括溝道區域和與溝道區域兩側相接的導體化區域，柵電極在基底上的正投影包含溝道區域在基底上的正投影。陣列基板包含該薄膜晶體管，顯示面板包含該陣列基板。該制備方法降低了頂柵型薄膜晶體管的開態電阻，使得開態電流增加，降低了顯示器件的功耗，提高了顯示面板的顯示質量。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板。

背景技術

薄膜晶體管是顯示技術領域非常重要的元件，現有技術中，薄膜晶體管主要有兩大類，即底柵型薄膜晶體管和頂柵型薄膜晶體管。頂柵型薄膜晶體管中柵電極與源電極/漏電極無重疊，因此寄生電容非常低，同時頂柵型薄膜晶體管的制作工藝簡單、溝道的寬長比W/L比較大，且布局靈活，所以其在高分辨率、高刷新率、窄邊框、低功耗的產品中得到了廣泛的應用。

頂柵型薄膜晶體管的低功耗，主要受其開態電流的影響，而開態電流主要決定于源電極和漏電極之間的開態電阻。本申請的發明人發現，現有技術中的頂柵型薄膜晶體管的開態電阻較大，使得開態電流較小，從而增加了顯示器件的功耗，降低了顯示面板的顯示質量。

發明內容

本發明實施例所要解決的技術問題是，提供一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板，以解決現有頂柵型薄膜晶體管的開態電阻較大導致顯示器件功耗大的問題。

為了解決上述技術問題，本發明實施例提供了一種薄膜晶體管的制備方法，包括：

在基底上依次形成有源層、柵絕緣層和柵電極，其中，所述有源層包括溝道區域和導體化區域，所述柵電極在基底上的正投影包含所述溝道區域在基底上的正投影。

可選地，所述在基底上依次形成有源層、柵絕緣層和柵電極，包括：

在基底上形成有源層；

在形成有有源層的基底上依次沉積柵絕緣薄膜和柵金屬薄膜；

形成柵電極和柵絕緣層，所述柵電極和所述柵絕緣層在基底上的正投影完全重疊；

對有源層進行導體化處理，形成溝道區域和位于所述溝道區域兩側的導體化區域，所述溝道區域在基底上的正投影與所述柵電極和柵絕緣層在基底上的正投影完全重疊。

可選地，所述形成柵電極和柵絕緣層，包括：

在柵金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用掩膜版對光刻膠進行曝光并顯影，在柵電極位置形成未曝光區域，保留光刻膠，在其余位置形成完全曝光區域，光刻膠被去除；

采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉完全曝光區域的柵金屬薄膜；

對光刻膠進行硬烘烤或灰化處理；

采用干法刻蝕工藝刻蝕掉光刻膠以外的柵絕緣薄膜，使所述柵電極和所述柵絕緣層在基底上的正投影完全重疊。

可選地，所述形成柵電極和柵絕緣層，包括：

在柵金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用掩膜版對光刻膠進行曝光并顯影，在柵電極位置形成未曝光區域，保留光刻膠，在其余位置形成完全曝光區域，光刻膠被去除；

采用干法刻蝕工藝刻蝕掉完全曝光區域的柵金屬薄膜和柵絕緣薄膜，使所述柵電極和柵絕緣層在基底上的正投影完全重疊。

可選地，所述在基底上依次形成有源層、柵絕緣層和柵電極，包括：

在基板上沉積有源薄膜；