[發明專利]薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板和顯示面板

有效

• 申請號: 201710564648.5
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN107359126B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 蘇同上;袁廣才;王東方;趙策;周斌;劉軍;邵繼峰;王慶賀;張揚
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥鑫晟光電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/423;H01L27/12
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 張京波;曲鵬

1.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在基底上形成有源層；

在形成有有源層的基底上依次沉積柵絕緣薄膜和柵金屬薄膜；

在柵金屬薄膜上涂覆光刻膠，采用掩膜版對光刻膠進行曝光并顯影，在柵電極位置形成未曝光區域，保留光刻膠，在其余位置形成完全曝光區域，光刻膠被去除，形成的光刻膠層的寬度為T1；

采用濕法刻蝕工藝刻蝕掉完全曝光區域的柵金屬薄膜，形成柵電極，所述柵電極的寬度為T2，T2<T1；

對光刻膠進行硬烘烤或灰化處理，使得所述光刻膠層的寬度減小為CT1，T2<CT1；

采用干法刻蝕工藝刻蝕掉光刻膠以外的柵絕緣薄膜以形成柵絕緣層，使所述光刻膠層、所述柵電極和所述柵絕緣層在基底上的正投影完全重疊。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

對有源層進行導體化處理，形成溝道區域和位于所述溝道區域兩側的導體化區域，所述溝道區域在基底上的正投影與所述柵電極和柵絕緣層在基底上的正投影完全重疊；

剝離所述光刻膠層。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：

在形成有柵電極的基底上形成源電極和漏電極。

4.一種薄膜晶體管，包括基底，其特征在于，采用權利要求1～3中任意一項方法制備而成，所述薄膜晶體管還包括依次設置在基底上的有源層、柵絕緣層和柵電極，所述有源層包括溝道區域和與所述溝道區域兩側相接的導體化區域，

所述柵電極在基底上的正投影與所述溝道區域在基底上的正投影完全重疊。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括：

覆蓋所述柵電極、所述柵絕緣層和所述有源層的層間絕緣層，所述層間絕緣層上設置有暴露出導體化區域的第一過孔和第二過孔；

設置在所述層間絕緣層上的源電極和漏電極，所述源電極和所述漏電極分別通過所述第一過孔和所述第二過孔與所述導體化區域連接。

6.一種陣列基板，其特征在于，包括根據權利要求4或5所述的薄膜晶體管。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括根據權利要求6所述的陣列基板。