[發明專利]動態隨機存取存儲器及其制造方法

有效

• 申請號: 201710564443.7
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN109256382B
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 竹迫壽晃;陳皇男;張維哲
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種動態隨機存取存儲器，其特征在于，所述動態隨機存取存儲器包括：

多個隔離結構，位于襯底中，以將所述襯底分隔成多個有源區，所述有源區被配置成帶狀且排列成一陣列；

多個字線組，沿著Y方向平行配置于所述襯底中；

多個位線結構，沿著X方向平行配置于所述襯底上，且橫越所述字線組；

多個間隙壁，沿著所述X方向平行配置于所述位線結構的側壁上，其中所述間隙壁包括氧化硅；

多個電容器，分別配置于所述有源區的長邊的兩端點上；

多個電容器接觸窗，分別位于所述電容器與所述有源區之間；以及

多個介電層，分別位于所述電容器接觸窗之間，其中所述多個電容器的底面低于所述多個介電層的頂面，所述介電層包括氮化硅。

2.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，其中各所述間隙壁包括第一間隙壁與第二間隙壁，所述第一間隙壁位于所述位線結構與所述第二間隙壁之間。

3.根據權利要求2所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，其中所述第一間隙壁包括氮化硅，所述第二間隙壁包括氧化硅。

4.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，其中所述字線組包括兩個埋入式字線。

5.根據權利要求4所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，其中所述電容器接觸窗的一者覆蓋所述有源區以及所述兩個埋入式字線的一者的部分頂面。

6.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，其中各所述電容器接觸窗為復合結構，其包括導體層、硅化金屬層以及金屬層。

7.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，其中各所述電容器接觸窗具有底部寬度與頂部寬度，所述底部寬度大于或等于所述頂部寬度。

8.根據權利要求1所述的動態隨機存取存儲器，其特征在于，其中相鄰兩行的所述有源區呈鏡像配置。

9.一種動態隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在襯底中形成多個隔離結構，以將所述襯底分隔成多個有源區，所述有源區被配置成帶狀且排列成一陣列；

在所述襯底中形成多個字線組，所述字線組沿著Y方向延伸并穿過所述隔離結構與所述有源區，以將所述襯底分成多個第一區與多個第二區，其中所述第一區與所述第二區沿著X方向交替排列且所述字線組位于所述第一區中；

在所述襯底上形成多個位線結構，所述位線結構沿著所述X方向延伸并橫跨所述字線組；

在所述位線結構的側壁上分別形成多個間隙壁；

在所述第二區的所述襯底上形成多個導體層；

在所述第一區的所述襯底上形成多個第一介電層，其中所述導體層的頂面低于所述第一介電層的頂面；

在所述導體層中分別形成多個第二介電層，各所述第二介電層將所對應的導體層分隔成兩個導體柱，其中所述第一介電層的材料與所述第二介電層的材料相同，其中所述第二介電層的形成方法包括：

于所述襯底上形成介電層，其中所述介電層共形地形成在所述導體層與所述第一介電層上；

進行蝕刻工藝，移除部分所述介電層與部分所述導體層，以于所述第二區形成開口，其中所述開口暴露所述第二區的所述隔離結構的表面；以及

在所述襯底上形成第二介電材料，所述第二介電材料填入所述開口中；以及

在所述導體柱上分別形成多個電容器。

10.根據權利要求9所述的動態隨機存取存儲器的制造方法，其特征在于，其中所述第一介電層的材料包括氮化硅，所述第二介電層的材料包括氮化硅。