[發(fā)明專利]掩模及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710564283.6
• 申請日: 2017-07-12
• 公開（公告）號: CN108118290B
• 公開（公告）日: 2020-01-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 俞明在;林玄澤;黃周煥;柳熙晟
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/04
• 分類號: C23C14/04;C23C16/04
• 代理公司: 11127 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 李輝;劉久亮

掩模及其制造方法。實施方式公開了沉積掩模及其制造方法。所公開的沉積掩模可包括：沉積部分，所述沉積部分包括多個沉積圖案；以及邊界部分，所述邊界部分包圍所述沉積部分并且包括第一區(qū)域和從所述第一區(qū)域延伸的第二區(qū)域。所述邊界部分可具有比所述沉積部分厚的厚度。據(jù)此，可以防止當(dāng)掩模和掩模框架彼此焊接時可能出現(xiàn)掩模的熱變形。

技術(shù)領(lǐng)域

這里所公開的實施方式涉及沉積掩模及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著信息化社會的發(fā)展，需要開發(fā)改善傳統(tǒng)陰極射線管(CRT)的諸如重量重和體積大的缺陷的新圖像顯示裝置。因此，諸如液晶顯示(LCD)裝置、有機(jī)發(fā)光二極管顯示(OLED)裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置和表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示(SED)裝置的各種平板顯示裝置正備受關(guān)注。

這種顯示裝置包括至少一個基板，并且在基板上設(shè)置多個細(xì)小圖案。為了形成這種細(xì)小圖案，需要使用掩模進(jìn)行沉積處理。

通常，沉積處理中使用的掩模是作為包括掩模和掩模框架的掩模組件使用的，掩模框架被焊接至掩模的一側(cè)。由于這種掩模的厚度薄(10μm)，導(dǎo)致在焊接掩模和掩模框架的處理期間，掩模可能會發(fā)生斷裂，以致難以將掩模接合至掩模框架。此外，由于掩模的厚度薄，導(dǎo)致在使用激光來焊接掩模和掩模框架的處理期間，在被激光照射的區(qū)域中，掩模可能會出現(xiàn)熱變形。由于掩模的熱變形，導(dǎo)致掩模的沉積部分和沉積圖案部分會發(fā)生變形，以致沉積精度可能會劣化。另外，由于掩模的熱變形，導(dǎo)致掩模和用于沉積的基板之間可能會出現(xiàn)間隙，由此造成陰影效應(yīng)。

因此，需要能夠解決以上提到的問題的掩模。

發(fā)明內(nèi)容

這里所公開的實施方式將提供掩模及其制造方法，其能夠解決在焊接掩模和掩模框架的過程中出現(xiàn)的諸如掩模失效和熱變形的問題。

根據(jù)實施方式，一種沉積掩模包括沉積部分，所述沉積部分包括多個沉積圖案。另外，根據(jù)實施方式，所述沉積掩模包括邊界部分，所述邊界部分包圍所述沉積部分的外部并且包括第一區(qū)域和從所述第一區(qū)域延伸的第二區(qū)域。另外，根據(jù)實施方式，在所述沉積掩模中，所述邊界部分的厚度可比所述沉積部分的厚度厚。

另外，根據(jù)另一個實施方式，一種制造沉積掩模的方法包括在基板上形成多個構(gòu)圖電極。另外，根據(jù)另一個實施方式，所述制造沉積掩模的方法包括在沒有布置多個構(gòu)圖電極的基板上形成倒錐形光致抗蝕劑圖案。另外，根據(jù)另一個實施方式，所述制造沉積掩模的方法包括只將掩模材料初次電鍍在布置在所述基板的外周中的構(gòu)圖電極上。另外，根據(jù)另一個實施方式，所述制造沉積掩模的方法包括將所述掩模材料二次電鍍在布置在所述基板的外周的所述構(gòu)圖電極和剩余構(gòu)圖電極上。另外，根據(jù)另一個實施方式，所述制造沉積掩模的方法包括將掩模框架焊接至形成在所述基板的外周上的所述掩模材料的一個表面。另外，根據(jù)另一個實施方式，所述制造沉積掩模的方法包括去除所述基板和所述構(gòu)圖電極。

另外，根據(jù)另一個實施方式，一種使用沉積掩模在基板上沉積材料的方法，所述沉積掩模包括：沉積部分，所述沉積部分包括多個沉積圖案；以及邊界部分，所述邊界部分包圍所述沉積部分并且包括第一區(qū)域和從所述第一區(qū)域延伸的第二區(qū)域，其中，所述邊界部分具有比所述沉積部分厚的厚度，所述方法包括以下步驟：將所述沉積掩模設(shè)置在所述基板的一側(cè)上；以及執(zhí)行使得材料通過所述沉積掩模沉積在所述襯底上的沉積處理。

根據(jù)本發(fā)明實施方式的掩模及其制造方法，通過使掩模的邊界部分的厚度比掩模的沉積部分的厚度厚，能夠防止焊接掩模和掩模框架時出現(xiàn)的掩模熱變形。

附圖說明

根據(jù)以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的以上和其它目的、特征和優(yōu)點將更清楚，在附圖中：

圖1是示意性例示根據(jù)本發(fā)明的實施方式的掩模和掩模框架的平面圖；

圖2是沿著圖1中的A-B線截取的截面圖；

圖3是沿著圖1的C-D線截取的截面圖；