[發(fā)明專利]一種多金屬共摻雜的GeSe基熱電材料及制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710563828.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109256459B | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜鵬;黃志偉;包信和 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L35/16 | 分類號(hào): | H01L35/16;H01L35/34 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標(biāo)代理有限公司 21002 | 代理人: | 馬馳 |
| 地址: | 116023 *** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 金屬 摻雜 gese 熱電 材料 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種多金屬共摻雜的GeSe基熱電材料及制備方法,金屬共摻雜的GeSe基熱電材料的化學(xué)分子式是GeAxBxSe1+2x,其中A為一價(jià)金屬Ag,B為三價(jià)金屬Sb,x為金屬A和B的摩爾分?jǐn)?shù),并且x值的范圍為0到1。GeAxBxSe1+2x熱電材料的制備方法包括球磨混合,熔融反應(yīng),固體燒結(jié)。首先按照GeAxBxSe1+2x分子式中的摩爾分?jǐn)?shù)稱取Ge,A,B,Se的單質(zhì)粉末,然后將粉末球磨混合均勻,將混勻的粉末封管在高溫下熔融反應(yīng),然后在適當(dāng)?shù)膲毫蜏囟葪l件下,利用放電等離子燒結(jié)技術(shù)燒結(jié)成塊體熱電材料。(GeAxBxSe1+2x)熱電材料具有很高的電導(dǎo)和功率因子,較低的熱導(dǎo),表現(xiàn)出很好的熱電性能。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及的是熱電領(lǐng)域,是一種多金屬共摻雜的GeSe基熱電材料及制備方法。
背景技術(shù)
熱電技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)熱能與電能之間的相互轉(zhuǎn)化,作為一種清潔的能源技術(shù)有廣闊的應(yīng)用前景。熱電材料的性能可以用無量綱熱電優(yōu)值ZT來衡量,熱電優(yōu)值由下式計(jì)算ZT=(S2σ/κ)T,其中S是Seebeck系數(shù),σ是電導(dǎo)率,T是溫度,κ是熱導(dǎo)率,功率因子PF=S2σ。好的熱電材料需要高的電導(dǎo)率,高Seebeck系數(shù)和低的熱導(dǎo)率。熱電性能的提高可以通過提高功率因子(S2σ)和降低熱導(dǎo)來實(shí)現(xiàn)。GeSe是一種二維層狀材料,GeSe具有較高的Seebeck系數(shù),熱導(dǎo)較低,但是低的電導(dǎo)限制了GeSe在熱電領(lǐng)域的應(yīng)用。調(diào)控載流子濃度是提高電導(dǎo)的常用方法。調(diào)節(jié)晶體的結(jié)構(gòu),提高熱電材料的晶體對(duì)稱性,有利于增加價(jià)帶簡并,從而提高熱電性能。2016年裴艷中研究組通過單金屬摻雜和合金化的方法只能將ZT提高到0.2,仍然比較低,這主要是由于單摻雜只能將載流子濃度提高到1018cm-3,GeSe的載流子濃度仍然需要進(jìn)一步提高,以提高其電導(dǎo)和功率因子。目前對(duì)GeSe熱電性質(zhì)的相關(guān)研究還比較少,GeSe的熱電性能的提高仍然面臨著挑戰(zhàn),通過適當(dāng)?shù)姆椒ㄖ苽涓咝阅艿腉eSe基熱電材料具有重要的意義。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明技術(shù)解決問題:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種具有新型晶體結(jié)構(gòu)的多金屬共摻雜的GeSe基熱電材料,具有很高的電導(dǎo)和功率因子,較低的熱導(dǎo),表現(xiàn)出很好的熱電性能。
本發(fā)明技術(shù)解決方案:一種多金屬共摻雜的GeSe基熱電材料及制備方法,金屬共摻雜的GeSe基熱電材料的化學(xué)通式是GeAxBxSe1+2x,其中A為金屬Ag,B為Sb,x為金屬A和B的摩爾分?jǐn)?shù),并且0x≤1。所述金屬A和B摩爾分?jǐn)?shù)比是1:1,優(yōu)化后摩爾分?jǐn)?shù)x的范圍為0.05-0.3。
材料的制備方法如下:
(1)球磨混合:按GeAxBxSe1+2x中的摩爾分?jǐn)?shù),稱取Ge,A,B,Se元素單質(zhì)的粉末,放入球磨罐中進(jìn)行球磨混合,在一定轉(zhuǎn)速和球磨時(shí)間內(nèi)將粉末球磨均勻;
(2)熔融反應(yīng):將球磨混合后的粉末冷壓成塊,放入石英管內(nèi),然后用氫氧火焰真空封管,放入熔融爐中,升溫至熔融溫度,保持一段反應(yīng)時(shí)間,降溫到室溫后得到塊狀材料;
(3)固體燒結(jié):將熔融后的塊狀材料研磨成粉末,放入燒結(jié)模具中,然后將模具放入燒結(jié)爐中,利用放電等離子燒結(jié)技術(shù),加壓至設(shè)定壓力,抽真空至1-5Pa,然后加電流升溫,升溫至燒結(jié)溫度,保持此燒結(jié)溫度一段時(shí)間,然后減小電流,降溫至室溫,結(jié)束燒結(jié),得到GeAxBxSe1+2熱電材料。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所,未經(jīng)中國科學(xué)院大連化學(xué)物理研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710563828.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L35-00 包含有一個(gè)不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電器件,即顯示出具有或不具有其他熱電效應(yīng)或其他熱磁效應(yīng)的Seebeck效應(yīng)或Peltier 效應(yīng)的熱電器件;專門適用于制造或處理這些熱電器件或其部件的方法或設(shè)備;這些熱電器件
H01L35-02 .零部件
H01L35-12 .結(jié)點(diǎn)引出線材料的選擇
H01L35-28 .只利用Peltier或Seebeck效應(yīng)進(jìn)行工作的
H01L35-34 .專門適用于制造或處理這些器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L35-30 ..按在結(jié)點(diǎn)處進(jìn)行熱交換的方法區(qū)分的
- BaGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>化合物、BaGa<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非線性光學(xué)晶體及制法和用途
- Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>化合物、Li<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非線性光學(xué)晶體及制法和用途
- 一種GeSe<sub>2</sub>納米晶及其制備方法和應(yīng)用
- 一種Na<sub>2</sub>In<sub>2</sub>GeSe<sub>6</sub>非線性光學(xué)晶體及制法和用途
- 垂直GeSe/MoS<Sub>2</Sub> p-n異質(zhì)結(jié)構(gòu)
- 一種Ag摻雜的GeSe基熱電材料及其制備方法和應(yīng)用
- 一種單晶GeSe三角形納米片陣列材料的制備方法及其應(yīng)用
- 活性層摻雜了GeSe二維納米材料的有機(jī)太陽能電池及其制備方法
- 一種異質(zhì)結(jié)GeSe/TiO<base:Sub>2
- 一種異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體光電探測器及其制備方法





