[發明專利]光致抗蝕劑去除裝置及方法

有效

• 申請號: 201710562482.3
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN108695191B
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 趙元俊;廖添文;陳韋全;張益彰;曾鈺明
• 申請（專利權）人: 采鈺科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

提供一種光致抗蝕劑去除裝置，用以去除晶圓的至少一對準標記上的光致抗蝕劑層。裝置包括載臺、溶劑分配器及抽吸單元。載臺用以支撐晶圓，其中于晶圓的周邊區形成對準標記。溶劑分配器用以噴灑溶劑至晶圓的對準標記上的光致抗蝕劑層上以產生已溶解光致抗蝕劑層。抽吸單元用以自晶圓上以排出的方式去除已溶解光致抗蝕劑層和溶劑。

技術領域

本發明實施例涉及半導體制程技術，且特別關于用以去除晶圓的對準標記上的光致抗蝕劑層的裝置及方法。

背景技術

對準在微影、沉積和其他半導體制程中具有關鍵性的作用。若未妥善地沉積或未妥善地選擇性地移除膜層，則所得半導體裝置可能不具功能性而須報廢，導致成本的提高。因此，在半導體晶圓上放置對準標記，可確保在沉積和微影制程時的定位適當。

圖1是傳統晶圓100的示意性俯視圖。如圖1所示，多IC晶粒均勻地分布于整個晶圓上，且于晶圓100的周邊區形成至少一對準標記。

須注意的是，當已有數層金屬或其他層沉積于晶圓上時，對準特別具有關鍵性。特別是如于隨后沉積二氧化硅與其他層的例子中，通常需要露出晶圓100上的對準記號104以適當的覆蓋二氧化硅或其他層，因用以對這些層圖案化或進行其他制程的光致抗蝕劑層可輕易地覆蓋或至少模糊對準記號104，造成對準失敗。

業界廣用的清潔方法是使用棉花棒及丙酮以人工方式從對準記號104移除光致抗蝕劑層。雖然該人工清潔方法可移除對準記號104上的光致抗蝕劑層，但其不可避免地造成晶圓100周邊區的晶粒損失。舉例來說，如圖1所示，于人工移除光致抗蝕劑層時將會完全損失靠近對準記號104的IC晶粒106。因此對產率有負面影響。此外，人工清潔法也耗時且難以控制清潔度及品質。

因此，需要一種可改進上述人工清潔法問題的自動清潔法。

發明內容

本發明實施例提供一種用以去除晶圓的至少一對準標記上的光致抗蝕劑層的裝置及方法。該裝置及方法可快速且精確地自晶圓的至少一對準標記上移除光致抗蝕劑層，進而降低晶粒損失及制程時間。

提供一種光致抗蝕劑去除裝置的實施例，其用以去除一晶圓的至少一對準標記上的光致抗蝕劑層。光致抗蝕劑去除裝置包括：載臺，用以支撐晶圓，其中對準標記形成于晶圓的周邊區；溶劑分配器，用以在晶圓的對準標記上的光致抗蝕劑層上噴灑溶劑，以產生已溶解光致抗蝕劑層；以及抽吸單元，用以自晶圓去除已溶解光致抗蝕劑層及溶劑。

于一些實施例中，溶劑分配器可移向或移離晶圓。

于一些實施例中，光致抗蝕劑去除裝置還包括馬達，用以驅動溶劑分配器向前及向后，及汽缸，用以驅動溶劑分配器向上及向下。

于一些實施例中，溶劑分配器包括可動臂及連接至可動臂的噴嘴，其中噴嘴配置使噴嘴相對于晶圓的表面是傾斜的，且噴嘴的出口朝向晶圓的邊緣。

于一些實施例中，光致抗蝕劑去除裝置還包括導管及流量計，導管連接至溶劑分配器，用以供應溶劑，且流量計是提供給導管以測量于導管中的溶劑的流速。

于一些實施例中，抽吸單元可移向或移離晶圓。

于一些實施例中，溶劑分配器及抽吸單元可一起沿著平行于晶圓表面的方向移動。

于一些實施例中，光致抗蝕劑去除裝置還包括對準單元，用以通過搜尋晶圓上的定位切口決定晶圓的對準標記的位置，且用以產生位置信號。

于一些實施例中，光致抗蝕劑去除裝置還包括驅動機械，連接至載臺，且用以驅動載臺及晶圓以依據來自對準單元的位置信號進行旋轉而使對準標記抵達一位置，于該位置溶劑分配器的出口及抽吸單元的入口靠近且對準對準標記。

于一些實施例中，光致抗蝕劑去除裝置還包括排放單元，用以收集自晶圓落下的溶劑。