[發明專利]光致抗蝕劑去除裝置及方法有效
| 申請號: | 201710562482.3 | 申請日: | 2017-07-11 |
| 公開(公告)號: | CN108695191B | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發明(設計)人: | 趙元俊;廖添文;陳韋全;張益彰;曾鈺明 | 申請(專利權)人: | 采鈺科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光致抗蝕劑 去除 裝置 方法 | ||
1.一種光致抗蝕劑去除裝置,用以去除一晶圓的至少一對準標記上的一光致抗蝕劑層,包括:
一載臺,用以支撐該晶圓,其中該對準標記形成于該晶圓的一周邊區;
一溶劑分配器,用以在該晶圓的該對準標記上的該光致抗蝕劑層上噴灑一溶劑,以產生一已溶解光致抗蝕劑層;以及
一抽吸單元,用以自該晶圓去除該已溶解光致抗蝕劑層及該溶劑;
其中該溶劑分配器包括一可動臂及連接至該可動臂的一噴嘴,其中配置該噴嘴,使該噴嘴相對于該晶圓的一表面是傾斜的,且將該噴嘴的一出口朝向該晶圓的邊緣,且其中該溶劑分配器及該抽吸單元可一起沿著平行于該晶圓一表面的一方向移動;
一排除器,經由導管連接抽吸單元,以便控制抽吸單元經由排除從晶圓去除已溶解光致抗蝕劑層;其中,排出器在設備尾端流體連接至揮發性有機化合物排放系統;
一對準單元,用以通過搜尋該晶圓上的一定位切口決定該晶圓的該對準標記的位置,且用以產生一位置信號;以及
一排放單元,用以收集自該晶圓落下的該溶劑。
2.如權利要求1所述的光致抗蝕劑去除裝置,其中該溶劑分配器可移向或移離該晶圓,且該抽吸單元可移向或移離該晶圓。
3.如權利要求1所述的光致抗蝕劑去除裝置,還包括一馬達,用以驅動該溶劑分配器向前及向后,及一汽缸,用以驅動該溶劑分配器向上及向下。
4.如權利要求1所述的光致抗蝕劑去除裝置,還包括一導管及一流量計,該導管連接至該溶劑分配器,用以供應該溶劑,且該流量計是提供給該導管以測量于該導管中的該溶劑的流速。
5.如權利要求1所述的光致抗蝕劑去除裝置,還包括:
一驅動機械,連接至該載臺,且用以驅動該載臺及該晶圓以依據來自該對準單元的該位置信號進行旋轉而使該對準標記抵達一位置,于該位置該溶劑分配器的一出口及該抽吸單元的一入口靠近且對準該對準標記。
6.一種光致抗蝕劑去除方法,用以去除一晶圓的至少一對準標記上的一光致抗蝕劑層,包括:
提供一載臺;
于該載臺上放置該晶圓,其中于該晶圓的一周邊區形成有該對準標記,且于該對準標記上涂布該光致抗蝕劑層;
提供一溶劑分配器,以噴灑一溶劑于該晶圓的該對準標記上的該光致抗蝕劑層上,以產生一已溶解光致抗蝕劑層;以及
提供一抽吸單元,以自該晶圓去除該已溶解光致抗蝕劑層及該溶劑;
其中該溶劑分配器包括一可動臂及連接至該可動臂的一噴嘴,其中配置該噴嘴,使該噴嘴相對于該晶圓的一表面是傾斜的,且將該噴嘴的一出口朝向該晶圓的邊緣,且其中該溶劑分配器及該抽吸單元可一起沿著平行于該晶圓一表面的一方向移動;
提供一排除器,經由導管連接抽吸單元,以便控制抽吸單元經由排除從晶圓去除已溶解光致抗蝕劑層;其中,排出器在設備尾端流體連接至揮發性有機化合物排放系統;
提供一對準單元,用以通過搜尋該晶圓上的一定位切口決定該晶圓的該對準標記的位置,且用以產生一位置信號;
提供連接至該載臺的一驅動機械;
驅動該載臺及該晶圓以依據來自該對準單元的該位置信號進行旋轉而使該對準標記抵達一位置,于該位置該溶劑分配器的一出口及該抽吸單元的一入口靠近且對準該對準標記;以及
提供一排放單元,用以收集自該晶圓落下的該溶劑。
7.如權利要求6所述的光致抗蝕劑去除方法,還包括:
在通過該溶劑分配器噴灑該溶劑于該對準標記上的該光致抗蝕劑層上之前,移動該溶劑分配器,使得該溶劑分配器的一出口對準該對準標記且靠近該晶圓的邊緣;
在通過該抽吸單元從該晶圓去除該已溶解光致抗蝕劑層及該溶劑之前,移動該抽吸單元,使得該抽吸單元的一出口對準該對準標記且靠近該晶圓的邊緣;以及
于該溶劑分配器噴灑該溶劑于該光致抗蝕劑層上且該抽吸單元從該晶圓去除該已溶解光致抗蝕劑層及該溶劑時,沿著自該晶圓的邊緣朝向該晶圓的內部的一方向一起移動該溶劑分配器及該抽吸單元。
8.如權利要求6所述的光致抗蝕劑去除方法,其中該抽吸單元有大于80LPM(L/min)的一排放速率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





