[發明專利]金屬摻雜的納米晶及其制備方法、QLED器件

在審

• 申請號: 201710560567.8
• 申請日: 2017-07-11
• 公開（公告）號: CN109244201A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 程陸玲;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/18;H01L33/28;H01L33/00;B82Y20/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開金屬摻雜的納米晶及其制備方法、QLED器件。包括：將陽離子前軀體鹽溶液與摻雜金屬醋酸鹽溶液混合，繼續添加還原性無機鹽，隨后向混合液中添加無機鹵鹽，接著再向混合液中添加非離子型高分子化合物，得到前軀液；將陰離子前軀體鹽溶液加入到前軀液中，然后通過離心分離、清洗沉淀，得到金屬摻雜的納米晶。本發明通過上述方法，能夠制備得到鹵素鈍化的金屬摻納米晶，制備得到的納米晶具有好的熒光強度以及光電性能。

技術領域

本發明涉及納米晶材料制備技術領域和量子點發光二極管技術領域，尤其涉及一種金屬摻雜的納米晶及其制備方法、一種QLED器件。

背景技術

近些年，納米晶半導體發光材料被譽為“納米熒光粉”，引起了科研工作者極大的興趣，這是由于它們具有新穎和不尋常的結構以及相應的光學和電學性質。硫族納米晶主要有ZnS、CdS、CdSe/ZnS等。從結構上區分，它們具有單一結構、核殼結構以及合金結構等。這些納米晶呈現出了有趣的現象是：尺寸能夠改變可見光的輻射波長和輻射壽命的長短等性能；利用這些材料可以制備得到電致發光二極管器件并具有較低的起亮電壓。

通過摻雜金屬的方式改善納米晶的輻射壽命和熒光效率已經被深入的研究。現有技術的方法，由于在納米晶生長過程中由于元素的摻雜會使晶格發生錯位和難以實現摻雜金屬的共沉淀，會導致產生非輻射躍遷，并可能會引起發光峰的半峰寬變寬，從而影響色純。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種金屬摻雜的納米晶及其制備方法、QLED器件。

本發明的技術方案如下：

一種金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，包括：

提供一種含摻雜金屬的陽離子前驅液，所述含摻雜金屬的陽離子前驅液包括由陽離子前驅體鹽溶液、金屬醋酸鹽溶液、還原性無機鹽、無機鹵鹽混合制備得到；

提供一種陰離子前驅體鹽溶液；

將所述陰離子前驅體鹽溶液加入到所述含摻雜金屬的陽離子前驅液中進行晶體生長，制備得到所述金屬摻雜的納米晶。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，所述含摻雜金屬的陽離子前驅液中還包括非離子型高分子化合物，所述非離子型高分子化合物包括聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯吡咯烷酮、聚丁烯吡咯烷酮中的一種或多種。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，所述陽離子前軀體鹽為硫酸鋅、硫酸鎘、硫酸鉛、硫酸銦中的一種或多種。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，所述摻雜金屬醋酸鹽為醋酸金、醋酸銀、醋酸銅、醋酸鐵、醋酸鋁中的一種或多種。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，所述還原性無機鹽為亞硫酸鈉、亞硫酸鎘、亞硫酸鉛、亞硫酸銦、亞硫酸銀中的一種或多種。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，所述無機鹵鹽為氯化鈉、溴化鈉、碘化鈉、氟化鈉中的一種或多種。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，所述陰離子前軀體鹽為硫化鈉、硫化鉀、硫化鈣、硒化鈉、硒化鉀、硒化鈣中的一種或多種。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，所述含摻雜金屬的陽離子前驅液中，陽離子的濃度為0.005-0.05mmol/ml。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，按所述陽離子與摻雜金屬醋酸鹽的摩爾比為5-20制備得到所述含摻雜金屬的陽離子前驅液。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，按所述還原性無機鹽與陽離子前驅體鹽中陽離子元素的摩爾比為0.1-0.5制備得到所述含摻雜金屬的陽離子前驅液。

所述的金屬摻雜納米晶的制備方法，其中，按所述無機鹵鹽與陽離子前驅體鹽中陽離子元素的摩爾比為0.02-0.2制備得到所述含摻雜金屬的陽離子前驅液。