[發(fā)明專利]金屬摻雜的納米晶及其制備方法、QLED器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710560567.8 | 申請日： | 2017-07-11 |
| 公開（公告）號： | CN109244201A | 公開（公告）日： | 2019-01-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 程陸玲;楊一行 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06;H01L33/18;H01L33/28;H01L33/00;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;劉文求 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米晶 制備 金屬摻雜 混合液 前軀體 鹽溶液 前軀 非離子型高分子化合物 還原性無機鹽 醋酸鹽溶液 摻雜金屬 光電性能 陽離子 陰離子 熒光 鈍化 鹵鹽 沉淀 清洗 金屬 | ||
1.一種金屬摻雜的納米晶的制備方法，其特征在于，包括：
提供一種含摻雜金屬的陽離子前驅(qū)液，所述含摻雜金屬的陽離子前驅(qū)液包括由陽離子前驅(qū)體鹽溶液、金屬醋酸鹽溶液、還原性無機鹽、無機鹵鹽混合制備得到；
提供一種陰離子前驅(qū)體鹽溶液；
將所述陰離子前驅(qū)體鹽溶液加入到所述含摻雜金屬的陽離子前驅(qū)液中進行晶體生長，制備得到所述金屬摻雜的納米晶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬摻雜的納米晶的制備方法，其特征在于，所述含摻雜金屬的陽離子前驅(qū)液中還包括非離子型高分子化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬摻雜的納米晶的制備方法，其特征在于，所述非離子型高分子化合物為聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯吡咯烷酮、聚丁烯吡咯烷酮中的一種或多種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的金屬摻雜的納米晶的制備方法，其特征在于，所述陽離子前軀體鹽為硫酸鋅、硫酸鎘、硫酸鉛、硫酸銦中的一種或多種；
和/或所述摻雜金屬醋酸鹽為醋酸金、醋酸銀、醋酸銅、醋酸鐵、醋酸鋁中的一種或多種；
和/或所述還原性無機鹽為亞硫酸鈉、亞硫酸鎘、亞硫酸鉛、亞硫酸銦、亞硫酸銀中的一種或多種；
和/或所述無機鹵鹽為氯化鈉、溴化鈉、碘化鈉、氟化鈉中的一種或多種；
和/或所述陰離子前軀體鹽為硫化鈉、硫化鉀、硫化鈣、硒化鈉、硒化鉀、硒化鈣中的一種或多種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬摻雜的納米晶的制備方法，其特征在于，所述陽離子前軀體鹽溶液中陽離子元素的濃度為0.005-0.05mmol/ml。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任意一項所述的金屬摻雜的納米晶的制備方法，其特征在于，按所述陽離子前軀體鹽中陽離子元素與摻雜金屬醋酸鹽的摩爾比為5-20制備得到所述含摻雜金屬的陽離子前驅(qū)液；
和/或按所述還原性無機鹽與陽離子前軀體鹽中陽離子元素的摩爾比為0.1-0.5制備得到所述含摻雜金屬的陽離子前驅(qū)液；
和/或按所述無機鹵鹽與陽離子前軀體鹽中陽離子元素的摩爾比為0.02-0.2制備得到所述含摻雜金屬的陽離子前驅(qū)液。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬摻雜的納米晶的制備方法，其特征在于，所述陰離子前軀體鹽溶液中的陰離子元素的濃度為0.05-1mmol/ml，按所述陰離子前軀體鹽中的陰離子元素與陽離子前軀體鹽中陽離子元素的摩爾比為10-20，將所述所述陰離子前軀體鹽溶液加入含摻雜金屬的陽離子前驅(qū)液中進行晶體生長。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬摻雜的納米晶的制備方法，其特征在于，所述非離子型高分子化合物與陽離子前軀體鹽中陽離子元素的摩爾比為0.05-0.1。
9.一種金屬摻雜的納米晶，其特征在于，采用如權(quán)利要求1-8任一所述的金屬摻雜的納米晶的制備方法制備而成。
10.一種QLED器件，其特征在于，包括陰極、陽極、電子傳輸層、空穴傳輸層和量子點發(fā)光層，所述QLED的量子點發(fā)光層的材料包括權(quán)利要求9所述的金屬摻雜的納米晶。
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