[發(fā)明專(zhuān)利]一種雙端口SRAM器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710558125.X
• 申請(qǐng)日: 2017-07-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109244074B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-10-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖淼
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/11
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;張建

本發(fā)明提供一種雙端口SRAM器件及其制作方法、電子裝置，該雙端口SRAM器件包括：第一反相器和第二反相器；所述第一反相器包括第一上拉晶體管和第一下拉晶體管，所述第一上拉晶體管和所述第一下拉晶體管的柵極彼此連接并形成h形結(jié)構(gòu)；所述第二反相器包括第二上拉晶體管和第二下拉晶體管，所述第二上拉晶體管和所述第二下拉晶體管的柵極彼此連接并形成h形結(jié)構(gòu)。該雙端口SRAM器件增加了上拉晶體管和下拉晶體管之間的距離，降低了上拉晶體管和下拉晶體管之間的相互作用，以及降低了制作工藝的難度。該制作方法和電子裝置具有類(lèi)似的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種雙端口SRAM器件及其制作方法、電子裝置。

背景技術(shù)

SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)在要求高速度、低功耗等的集成電路中得到了廣泛應(yīng)用，對(duì)于各種不同的應(yīng)用要求，人們開(kāi)發(fā)出了各種結(jié)構(gòu)的SRAM，比如常規(guī)的6T SRAM(即，一個(gè)SRAM存儲(chǔ)單元包括六個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體MOS晶體管，被稱(chēng)為6T SRAM)，其為單端口讀寫(xiě)混用的SRAM結(jié)構(gòu)，對(duì)于這種結(jié)構(gòu)的SRAM，由于讀寫(xiě)共用一個(gè)端口，因此進(jìn)行讀操作時(shí)可能會(huì)對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)造成干擾，比如產(chǎn)生誤翻轉(zhuǎn)，并且讀寫(xiě)裕度(margin)無(wú)法單獨(dú)增加，因而需要讀寫(xiě)裕度之間取舍。

為了克服上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)提出了讀寫(xiě)分離的雙端口SRAM結(jié)構(gòu)單元。圖1示出一種雙端口8T SRAM，其包括8個(gè)MOS晶體管，其中第一上拉晶體管PU1和第一下拉晶體管PD1形成第一反相器101，第二上拉晶體管102和第二下拉晶體管PD2形成第二反相器102，兩反相器耦接形成接在電源和地之間的鎖存電路，即一個(gè)反相器的輸入與另一個(gè)反相器的輸出相連。第一反相器的輸出作為第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)A，第二反相器的輸出作為第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)B，當(dāng)下拉一個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)至低電平時(shí)，則另一個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)被上拉至高電平。第一位線對(duì)BLA分別通過(guò)第一組傳輸晶體管PGA1和PGA2耦合至第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)A和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)B。第二位線對(duì)BLB分別通過(guò)第二組傳輸晶體管PGB1和PGB2耦合至第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)A和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)B。字線WLA與第一組傳輸晶體管PGA1和PGA2的柵極相連。字線WLB與第二組傳輸晶體管PGB1和PGB2的柵極相連。當(dāng)將字線WLA或WLB電平切換到系統(tǒng)高電平或Vdd時(shí)，第一組傳輸晶體管PGA1和PGA2或第二組傳輸晶體管PGB1和PGB2被開(kāi)啟以允許分別通過(guò)位線對(duì)BLA和BLB對(duì)第一存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)A和第二存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)B進(jìn)行讀取或?qū)懭搿＿@種8T SRAM可以使寫(xiě)操作和讀操作路徑分開(kāi)，可以同時(shí)得到較高的β比和γ比，而且能夠提高靜態(tài)噪聲容限，提高存儲(chǔ)單元的穩(wěn)定性。

上述8T SRAM雖然克服了前述問(wèn)題，但由于使用兩組傳輸晶體管，為了減小面積并且大致中心對(duì)稱(chēng)，下拉晶體管和上拉晶體管的柵極呈一體結(jié)構(gòu)且大致呈U型。如圖2所示，其為圖1所示8T SRAM的示意性版圖，下拉晶體管(PD1、PD2)和上拉晶體管(PU1、PU2)的柵極彼此連接呈一體結(jié)構(gòu)，并且大致呈U型結(jié)構(gòu)，但是這種形狀給SRAM制造帶來(lái)了困難。

因此，有必要提出一種雙端口SRAM及制作方法，以至少部分解決該技術(shù)問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。

為了克服目前存在的問(wèn)題，本發(fā)明一方面提供一種雙端口SRAM器件，包括第一反相器和第二反相器；

所述第一反相器包括第一上拉晶體管和第一下拉晶體管，所述第一上拉晶體管和所述第一下拉晶體管的柵極彼此連接并形成h形結(jié)構(gòu)；

所述第二反相器包括第二上拉晶體管和第二下拉晶體管，所述第二上拉晶體管和所述第二下拉晶體管的柵極彼此連接并形成h形結(jié)構(gòu)。