[發明專利]一種雙端口SRAM器件及其制作方法、電子裝置

有效

• 申請號: 201710558125.X
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN109244074B
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 廖淼
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/11
• 分類號: H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;張建

1.一種雙端口SRAM器件，其特征在于，包括第一反相器和第二反相器；

所述第一反相器包括第一上拉晶體管和第一下拉晶體管，所述第一上拉晶體管和所述第一下拉晶體管的柵極彼此連接并形成h形結構；

所述第二反相器包括第二上拉晶體管和第二下拉晶體管，所述第二上拉晶體管和所述第二下拉晶體管的柵極彼此連接并形成h形結構，所述第一反相器和所述第二反相器的h形結構包括：沿第一方向延伸的第一柵極線和第二柵極線，所述第一柵極線和第二柵極線沿第二方向間隔排列，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿所述第二方向延伸的柵極連線，所述柵極連線與所述第一柵極線、第二柵極線均連接；

所述第一下拉晶體管位于第一有源區，所述第一上拉晶體管位于第二有源區，所述第二下拉晶體管位于第三有源區，所述第二上拉晶體管位于第四有源區，所述第一、二、四、三有源區沿第一方向依次間隔排布；

所述第一反相器的柵極連線設置在所述第一有源區和所述第二有源區之間、第一柵極線橫跨所述第一有源區、第二柵極線橫跨所述第一有源區和第二有源區；

所述第二反相器的柵極連線設置在所述第三有源區和所述第四有源區之間、第一柵極線橫跨所述第三有源區、第二柵極線橫跨所述第三有源區和第四有源區。

2.根據權利要求1所述的雙端口SRAM器件，其特征在于，所述第一反相器和所述第二反相器的柵極連線的兩端分別沿所述第二方向突出于所述第一柵極線、第二柵極線。

3.根據權利要求1所述的雙端口SRAM器件，其特征在于，所述第一反相器和所述第二反相器呈中心對稱分布。

4.一種雙端口SRAM器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，在所述半導體襯底上形成第一反相器和第二反相器；

所述第一反相器包括第一上拉晶體管和第一下拉晶體管，所述第一上拉晶體管和所述第一下拉晶體管的柵極彼此連接并形成h形結構；

所述第二反相器包括第二上拉晶體管和第二下拉晶體管，所述第二上拉晶體管和所述第二下拉晶體管的柵極彼此連接并形成h形結構；

所述第一反相器和所述第二反相器的h形結構包括：沿第一方向延伸的第一柵極線和第二柵極線，所述第一柵極線和第二柵極線沿第二方向間隔排列，所述第二方向垂直于所述第一方向；沿所述第二方向延伸的柵極連線，所述柵極連線與所述第一柵極線、第二柵極線均連接；

所述第一下拉晶體管位于第一有源區，所述第一上拉晶體管位于第二有源區，所述第二下拉晶體管位于第三有源區，所述第二上拉晶體管位于第四有源區，所述第一、二、四、三有源區沿第一方向依次間隔排布；

所述第一反相器的柵極連線設置在所述第一有源區和所述第二有源區之間、第一柵極線橫跨所述第一有源區、第二柵極線橫跨所述第一有源區和第二有源區；

所述第二反相器的柵極連線設置在所述第三有源區和所述第四有源區之間、第一柵極線橫跨所述第三有源區、第二柵極線橫跨所述第三有源區和第四有源區。

5.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一反相器和所述第二反相器的柵極連線的兩端分別沿所述第二方向突出于所述第一柵極線、第二柵極線。

6.根據權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第一反相器和所述第二反相器呈中心對稱分布。

7.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求1-3中的任意一項所述的雙端口SRAM以及與所述雙端口SRAM連接的電子組件。