[發(fā)明專(zhuān)利]電子隱身方法及裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710557558.3
• 申請(qǐng)日: 2017-07-10
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107291124A
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張?jiān)?/a>
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 張?jiān)?/a>
• 主分類(lèi)號(hào): G05D25/02
• 分類(lèi)號(hào): G05D25/02
• 代理公司: 北京創(chuàng)遇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11577
• 代理人: 朱紅濤,武媛

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及隱身技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及電子隱身方法及裝置。

背景技術(shù)

在隱身技術(shù)領(lǐng)域，目前已有的隱身技術(shù)都是采用光學(xué)處理的方法進(jìn)行，例如對(duì)光線(xiàn)進(jìn)行反射、折射、或是吸收特定波長(zhǎng)的光來(lái)達(dá)到減弱人眼或機(jī)器可觀察的程度，從而達(dá)到一定程度上的隱身，減少反射和吸收特定波長(zhǎng)的光原理類(lèi)似，通過(guò)吸收特定波長(zhǎng)的光反射不容易引起人眼視覺(jué)的光來(lái)達(dá)到隱身的目的。

在這種光線(xiàn)處理的技術(shù)下，隱身的效果并不理想，具體表現(xiàn)為陰影仍舊可以察覺(jué)，只是一定程度的變暗了，在可見(jiàn)光范圍內(nèi)要找到吸收各種波長(zhǎng)光的材料目前還比較困難；折射技術(shù)，是通過(guò)折射物體周?chē)墓饩€(xiàn)來(lái)達(dá)到隱身物體的目的的，據(jù)媒體報(bào)道已有相關(guān)公司開(kāi)發(fā)出‘量子隱形’材料達(dá)到了隱身的效果，但是隱身材料的邊緣依舊清晰可見(jiàn)，加之折射原理的自身因素導(dǎo)致被隱身物體與周?chē)h(huán)境對(duì)比下發(fā)生一定程度的扭曲。

因此采用光學(xué)處理的方法進(jìn)行隱身具有一定的局限性，無(wú)法避免陰影問(wèn)題、且隱身材料邊緣可見(jiàn)，因此無(wú)法實(shí)現(xiàn)理想的隱身效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供電子隱身方法和裝置，用以解決現(xiàn)有光學(xué)隱身存在的陰影、邊緣可見(jiàn)的問(wèn)題，能夠?qū)﹄[身材料實(shí)現(xiàn)完全隱身。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明方法包括如下步驟：

一種電子隱身方法，包括：

待隱身材料表層上的感光位點(diǎn)接收并檢測(cè)入射光線(xiàn)。

在待隱身材料的可視一側(cè)設(shè)置發(fā)光材料。

計(jì)算入射光線(xiàn)延長(zhǎng)線(xiàn)與發(fā)光材料表層的交點(diǎn)，作為發(fā)光位點(diǎn)。

發(fā)光位點(diǎn)發(fā)射與入射光線(xiàn)同方向、同頻率、同波長(zhǎng)的光。

進(jìn)一步地，發(fā)光位點(diǎn)用于發(fā)出開(kāi)度為180度的半球形任意方向的光線(xiàn)。

本發(fā)明針對(duì)上述電子隱身方法提出了一種電子隱身裝置，包括：

感光位點(diǎn)，為組成待隱身材料表層的最小結(jié)構(gòu)單元，用于吸收來(lái)自各方向的入射光線(xiàn)。

傳感器，設(shè)置于感光位點(diǎn)上，用于檢測(cè)感光位點(diǎn)吸收的入射光線(xiàn)的方向、頻率以及波長(zhǎng)信息。

處理器，從傳感器處獲取入射光線(xiàn)的方向、頻率和波長(zhǎng)信息；處理器依據(jù)入射光線(xiàn)的方向計(jì)算對(duì)應(yīng)的發(fā)光位點(diǎn)，并控制對(duì)應(yīng)的發(fā)光位點(diǎn)發(fā)射與入射光線(xiàn)同方向、同頻率、同波長(zhǎng)的光。

發(fā)光位點(diǎn)，為組成發(fā)光材料表層的最小結(jié)構(gòu)單元，用于在處理器的控制下發(fā)射與入射光線(xiàn)同方向、同頻率、同波長(zhǎng)的光。

進(jìn)一步地，待隱身材料和發(fā)光材料涂覆在同一個(gè)平面的兩側(cè)，即感光位點(diǎn)與發(fā)光位點(diǎn)位于同一個(gè)平面的兩側(cè)，感光位點(diǎn)與發(fā)光位點(diǎn)間隔排列，細(xì)度小于或者等于視桿細(xì)胞的細(xì)度。

進(jìn)一步地，待隱身材料和發(fā)光材料組成雙層結(jié)構(gòu)，待隱身材料作為外層、發(fā)光材料作為內(nèi)層，即感光位點(diǎn)位于外層，發(fā)光位點(diǎn)位于內(nèi)層。

進(jìn)一步地，感光位點(diǎn)和發(fā)光位點(diǎn)主動(dòng)向處理器發(fā)送自身坐標(biāo)。

進(jìn)一步地，微處理器發(fā)出球形波，將球形波與感光位點(diǎn)的交點(diǎn)作為感光位點(diǎn)的坐標(biāo)，將球形波與發(fā)光位點(diǎn)的交點(diǎn)作為發(fā)光位點(diǎn)的坐標(biāo)。

進(jìn)一步地，發(fā)光位點(diǎn)用于發(fā)出開(kāi)度為180度的半球形任意方向的光線(xiàn)。

進(jìn)一步地，待隱身材料為正方體，具有上下兩個(gè)表層，上表層上的感光位點(diǎn)A吸收入射光線(xiàn)，下表層的感光位點(diǎn)B將入射光線(xiàn)進(jìn)行出射。

本發(fā)明方法具有如下優(yōu)點(diǎn)：通過(guò)電子隱身的方法，吸收入射在待隱身材料上的光線(xiàn)，經(jīng)由處理器計(jì)算入射點(diǎn)入射光線(xiàn)延長(zhǎng)線(xiàn)與對(duì)側(cè)發(fā)光材料的交點(diǎn)，由該發(fā)光位點(diǎn)發(fā)射同樣頻率波長(zhǎng)的光，實(shí)現(xiàn)光線(xiàn)繞過(guò)物體繼續(xù)傳播，從而實(shí)現(xiàn)隱身。該方法可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)、不同方位的隱身，可消除折射帶來(lái)的與周?chē)h(huán)境對(duì)比下的局部扭曲，消除邊緣效應(yīng)，隱藏不規(guī)整的物體，不需要尋找可以吸收各種波長(zhǎng)的材料，消除反射陰影。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中提出的方法的流程圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例2中提出的隱身裝置的結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例2中提出的隱身裝置的光路原理圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例3中感光位點(diǎn)和發(fā)光位點(diǎn)的第一種位置關(guān)系示意圖；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例3中感光位點(diǎn)和發(fā)光位點(diǎn)的第二種位置關(guān)系示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例4中正方體形待隱身材料結(jié)構(gòu)圖；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例4中兩個(gè)觀察位點(diǎn)觀察同一個(gè)透過(guò)不規(guī)則隱身材料的物體的情況。

具體實(shí)施方式

以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。

實(shí)施例1

一種電子隱身方法，具體流程如圖1所示，包括如下步驟：

S101、待隱身材料表層上的感光位點(diǎn)接收并檢測(cè)入射光線(xiàn)。