[發(fā)明專利]電子隱身方法及裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710557558.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107291124A | 公開(公告)日: | 2017-10-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張?jiān)?/a> | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 張?jiān)?/a> |
| 主分類號(hào): | G05D25/02 | 分類號(hào): | G05D25/02 |
| 代理公司: | 北京創(chuàng)遇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11577 | 代理人: | 朱紅濤,武媛 |
| 地址: | 101300 北京市順*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 隱身 方法 裝置 | ||
1.一種電子隱身方法,其特征在于,包括:
待隱身材料表層上的感光位點(diǎn)接收并檢測(cè)入射光線;
在待隱身材料的可視一側(cè)設(shè)置發(fā)光材料;
計(jì)算所述入射光線延長線與所述發(fā)光材料表層的交點(diǎn),作為發(fā)光位點(diǎn);
所述發(fā)光位點(diǎn)發(fā)射與所述入射光線同方向、同頻率、同波長的光。
2.如權(quán)利要求1所述的隱身方法,其特征在于,所述發(fā)光位點(diǎn)用于發(fā)出開度為180度的半球形任意方向的光線。
3.一種電子隱身裝置,其特征在于,包括:
感光位點(diǎn),為組成待隱身材料表層的最小結(jié)構(gòu)單元,用于吸收來自各方向的入射光線;
傳感器,設(shè)置于所述感光位點(diǎn)上,用于檢測(cè)所述感光位點(diǎn)吸收的入射光線的方向、頻率以及波長信息;
處理器,從所述傳感器處獲取入射光線的方向、頻率和波長信息;所述處理器依據(jù)所述入射光線的方向計(jì)算對(duì)應(yīng)的發(fā)光位點(diǎn),并控制所述對(duì)應(yīng)的發(fā)光位點(diǎn)發(fā)射與所述入射光線同方向、同頻率、同波長的光;
發(fā)光位點(diǎn),為組成發(fā)光材料表層的最小結(jié)構(gòu)單元,用于在所述處理器的控制下發(fā)射與所述入射光線同方向、同頻率、同波長的光。
4.如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述待隱身材料和發(fā)光材料涂覆在同一個(gè)平面的兩側(cè),即感光位點(diǎn)與所述發(fā)光位點(diǎn)位于同一個(gè)平面的兩側(cè),感光位點(diǎn)與發(fā)光位點(diǎn)間隔排列,細(xì)度小于或者等于視桿細(xì)胞的細(xì)度。
5.如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述待隱身材料和所述發(fā)光材料組成雙層結(jié)構(gòu),所述待隱身材料作為外層、所述發(fā)光材料作為內(nèi)層,即感光位點(diǎn)位于外層,發(fā)光位點(diǎn)位于內(nèi)層。
6.如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述感光位點(diǎn)和發(fā)光位點(diǎn)主動(dòng)向所述處理器發(fā)送自身坐標(biāo)。
7.如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述微處理器發(fā)出球形波,將球形波與感光位點(diǎn)的交點(diǎn)作為感光位點(diǎn)的坐標(biāo),將球形波與發(fā)光位點(diǎn)的交點(diǎn)作為發(fā)光位點(diǎn)的坐標(biāo)。
8.如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述發(fā)光位點(diǎn)用于發(fā)出開度為180度的半球形任意方向的光線。
9.如權(quán)利要求3所述的裝置,其特征在于,所述待隱身材料為正方體,具有上下兩個(gè)表層,上表層上的感光位點(diǎn)A吸收入射光線,下表層的感光位點(diǎn)B將所述入射光線進(jìn)行出射。
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