[發(fā)明專利]等離子體蝕刻機(jī)的移動(dòng)聚焦環(huán)方法及其裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710557004.3
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN108122748A
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林育奇;林進(jìn)興;張宏睿;邱意為
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

本公開提供一種半導(dǎo)體制造方法及實(shí)施該方法的半導(dǎo)體制造裝置。該半導(dǎo)體制造裝置包括：等離子體反應(yīng)室，安置平臺設(shè)置于該等離子體反應(yīng)室內(nèi)；聚焦環(huán)，設(shè)置于該等離子體反應(yīng)室內(nèi)；以及至少一致動(dòng)器，機(jī)械地連接聚焦環(huán)并設(shè)置成可垂直移動(dòng)聚焦環(huán)。此致動(dòng)器設(shè)置成當(dāng)?shù)入x子體出現(xiàn)于等離子體反應(yīng)室時(shí)可垂直移動(dòng)聚焦環(huán)。本公開提供的半導(dǎo)體制造方法可于蝕刻制程動(dòng)態(tài)控制蝕刻制程的蝕刻速率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實(shí)施例涉及半導(dǎo)體制造方法及裝置，尤其涉及等離子體蝕刻制程移動(dòng)聚焦環(huán)的方法及裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體元件使用于各式電子應(yīng)用領(lǐng)域，例如：個(gè)人電腦、移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)及其他電子設(shè)備。半導(dǎo)體元件的制造通常是按序于半導(dǎo)體基板上沉積絕緣或介電層、導(dǎo)電層及半導(dǎo)體層材料，并通過微影及蝕刻制程以圖案化各材料層，而于其上形成電路構(gòu)件及單元。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)通過持續(xù)降低最小線徑(minimum feature size)以將更多構(gòu)件整合至給定區(qū)域，進(jìn)而持續(xù)改進(jìn)各電子構(gòu)件(例如：晶體管、二極管、電阻及電容等)的集積密度(integration density)。然而，隨著最小線徑的降低，各制程中亦會產(chǎn)生額外問題，而有待解決。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本說明書的一實(shí)施例，其提供一方法，包括：放置一晶圓于一等離子體反應(yīng)室內(nèi)；移動(dòng)一聚焦環(huán)于該等離子體反應(yīng)室內(nèi)，自相對于該晶圓的一第一垂直位置至相對于該晶圓的一第二垂直位置，其中該第一垂直位置及該第二垂直位置為不同的等離子體蝕刻位置；以及形成一等離子體于該等離子體反應(yīng)室內(nèi)。

附圖說明

當(dāng)配合附圖以閱讀下述的實(shí)施方式時(shí)，可以優(yōu)選地理解本公開。應(yīng)予強(qiáng)調(diào)者，依工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)慣行，各部分并未按真實(shí)比例繪制。事實(shí)上，為方便清楚討論，各部分的尺寸可能被任意增加或減少。

圖1顯示在某些實(shí)施例中的蝕刻系統(tǒng)及蝕刻制程。

圖2A及圖2B顯示在某些實(shí)施例中的蝕刻系統(tǒng)及蝕刻制程。

圖3顯示在某些實(shí)施例中聚焦環(huán)位置相對于蝕刻速率的示例關(guān)系圖。

圖4A至圖4D顯示在某些實(shí)施例中的蝕刻制程。

圖5A至圖5E顯示在某些實(shí)施例中的蝕刻制程。

附圖標(biāo)記說明：

10 半導(dǎo)體晶圓

20 蝕刻系統(tǒng)

22 蝕刻劑傳送系統(tǒng)

24 蝕刻反應(yīng)室

26 蝕刻劑控制器

28 岐管

30 控制器

32 蝕刻劑供應(yīng)器

34 承載氣體供應(yīng)器

36 第一流水線

38 第一閥門

40 第二流水線

42 第二閥門

44 蝕刻反應(yīng)室外殼

46 墊片

48 噴頭

50 安置平臺

52 下電極

54 下射頻產(chǎn)生器

55 安置表面

56 上電極

58 上射頻產(chǎn)生器

62 真空幫浦