[發明專利]等離子體蝕刻機的移動聚焦環方法及其裝置在審
| 申請號： | 201710557004.3 | 申請日： | 2017-07-10 |
| 公開（公告）號： | CN108122748A | 公開（公告）日： | 2018-06-05 |
| 發明（設計）人： | 林育奇;林進興;張宏睿;邱意為 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3065 | 分類號： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃銥 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 聚焦環 半導體制造裝置 等離子體反應室 等離子體反應 半導體制造 蝕刻制程 等離子體 等離子體蝕刻機 蝕刻 室內 動態控制 平臺設置 移動聚焦 地連接 安置 | ||
【權利要求書】：
1.一種蝕刻方法，包括：
放置一晶圓于一等離子體反應室內；
移動一聚焦環于該等離子體反應室內，自相對于該晶圓的一第一垂直位置至相對于該晶圓的一第二垂直位置，其中該第一垂直位置及該第二垂直位置為不同的等離子體蝕刻位置；以及
形成一等離子體于該等離子體反應室內。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
