[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710556820.2
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN109244088B
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張建華;汪新學(xué);王明軍
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有柵極介電層，在所述柵極介電層上形成有隔離層；在所述隔離層的側(cè)壁上形成間隙壁并覆蓋部分所述柵極介電層；在所述隔離層和所述柵極介電層上形成柵極結(jié)構(gòu)。所述方法可以避免形成殘留難以去除的問題，可以進一步提高半導(dǎo)體器件的性能和良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，圖像傳感器是一種能將光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號的CMOS圖像傳感器。圖像傳感器大體上可以分為電荷耦合元件(CCD)和互補金屬氧化物半導(dǎo)體圖像傳感器(CMOS Image Sensor，CIS)。CCD圖像傳感器的優(yōu)點是對圖像敏感度較高，噪聲小，但是CCD圖像傳感器與其他器件的集成比較困難，而且CCD圖像傳感器的功耗較高。

相比之下，CMOS圖像傳感器由于具有工藝簡單、易與其他器件集成、體積小、重量輕、功耗小、成本低等優(yōu)點而逐漸取代CCD的地位。目前CMOS圖像傳感器被廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機、照相手機、數(shù)碼攝像機、醫(yī)療用攝像裝置(例如胃鏡)、車用攝像裝置等領(lǐng)域之中。

在CMOS圖像傳感器制備過程中通常需要形成淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，為了提高CMOS圖像傳感器的性能，目前使用隔離氧化物層和有源列傳感器摻雜離子注入(Active ColumnSensor Implant，ACS IMP)來代替所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)。然而這樣會使CMOS器件的性能降低，同時也會對后續(xù)的離子注入造成影響。

因此，現(xiàn)有技術(shù)中存在各種弊端，上述弊端成為亟需解決的問題，以進一步提高器件的性能和良率。

發(fā)明內(nèi)容

在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡化形式的概念，這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護的技術(shù)方案的保護范圍。

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有柵極介電層，在所述柵極介電層上形成有隔離層；

在所述隔離層的側(cè)壁上形成間隙壁并覆蓋部分所述柵極介電層；

在所述隔離層和所述柵極介電層上形成柵極結(jié)構(gòu)。

可選地，所述柵極介電層包括第一柵極介電層和第二柵極介電層，其中，所述第一柵極介電層位于所述隔離層和所述間隙壁下方的所述基底上，所述第二柵極介電層位于所述隔離層和所述間隙壁外側(cè)的所述基底上。

可選地，形成所述柵極介電層的方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有第一柵極介電層，在所述第一柵極介電層上形成有所述隔離層；

在所述隔離層的側(cè)壁上形成間隙壁并覆蓋部分所述第一柵極介電層；

去除未被所述隔離層和所述間隙壁覆蓋的所述第一柵極介電層，以露出所述基底；

在露出的所述基底上形成所述第二柵極介電層；

所述隔離層和所述第二柵極介電層上形成所述柵極結(jié)構(gòu)。

可選地，所述第一柵極介電層和所述第二柵極介電層的材料相同。

可選地，所述柵極結(jié)構(gòu)至少部分地覆蓋所述隔離層頂部并延伸至所述基底上的所述柵極介電層上。

可選地，形成所述柵極結(jié)構(gòu)的方法包括：

在所述隔離層、所述間隙壁和所述柵極介電層上形成柵極材料層，以覆蓋所述隔離層和所述柵極介電層；

圖案化所述柵極材料層，以形成所述柵極結(jié)構(gòu)。