[發明專利]用于真空轉鼓過濾機的預過濾涂層及其制備工藝、處理多晶硅生產中得到的渣漿的工藝

在審

• 申請號: 201710555555.6
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN109224625A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 李鵬;劉建海;李軍;王正云;張彥軍;陳國輝;楊尚榮;王玉麗
• 申請（專利權）人: 新特能源股份有限公司
• 主分類號: B01D37/02
• 分類號: B01D37/02;B01D24/32
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 羅建民;鄧伯英

本發明公開了一種用于真空轉鼓過濾機的預過濾涂層及其制備工藝、處理多晶硅生產中得到的渣漿的工藝，預過濾涂層包括由第一過濾介質形成的第一預過濾涂層和由第二過濾介質形成的第二預過濾涂層，第二過濾介質比第一過濾介質細，第一預過濾涂層相對于第二預過濾涂層更靠近真空轉鼓過濾機的真空轉鼓，第二預過濾涂層設置于第一預過濾涂層上遠離真空轉鼓的一側，其中，第二預過濾涂層靠近真空轉鼓的一側嵌于第一預過濾涂層內。第二預過濾涂層中的第二過濾介質填充于第一預過濾涂層中的第一過濾介質中，提高了預過濾涂層的致密度，從而使得用于真空轉鼓過濾機的預過濾涂層可以過濾掉更細的固體顆粒，提高了預過濾的性能，減少了進入到濾布的固體顆粒。

技術領域

本發明屬于過濾技術領域，具體涉及一種用于真空轉鼓過濾機的預過濾涂層及其制備工藝、處理多晶硅生產中得到的渣漿的工藝。

背景技術

多晶硅半導體是大規模集成電路和光伏產業的重要原材料，目前多晶硅主要由改良西門子法生產。改良西門子法生產多晶硅所用到的原料為三氯氫硅，同時受過程工藝限制,在生產三氯氫硅的過程中，將產生大量的細硅粉渣漿料排至渣漿工序，現市場較為成熟的工藝為蒸汽加熱水解濕法分離處理渣漿料，利用蒸汽加熱的方式，將渣漿料中的固液進行分離，分離后氯硅烷液體被回收。分離后的固體渣漿料利用堿液進行中和后進行排放。

國家環保政策層出不窮，嚴控企業的三廢排放標準，尤其是化工生產企業面臨著極大的環保壓力。用此種方法對多晶硅生產過程中的渣料進行中和處理，蒸發分離、水解濕法處理渣漿料，存在輸送泵堵塞、設備泄漏著火、放空尾氣超標、產品中間料浪費、廢水量大、堿消耗量大等，大量的資源被浪費、直接制約了多晶硅生產成本。目前正在嘗試采用再生過濾法對合成產生的渣漿料進行分離。解決高效節能的處理渣料，彌補水解濕法處理中的干燥蒸發不足之處，真正實現節能環保，運行成本降低。

現有技術中對渣漿使用真空轉鼓過濾機進行過濾，實現固液分離，真空轉鼓過濾機進行真空過濾時，真空轉鼓過濾機的真空轉鼓外側的濾布很快會堵住，導致真空轉鼓過濾機無法正常工作。更換濾布周期長，至少需要一個星期，大大降低了真空轉鼓過濾機的使用效率。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在的上述不足，提供一種用于真空轉鼓過濾機的預過濾涂層及其制備工藝、處理多晶硅生產中得到的渣漿的工藝，本發明解決真空轉鼓過濾機在處理渣漿料容易堵塞真空轉鼓過濾機、濾布使用周期短、更換濾布周期長等問題，本發明提出一種通過真空轉鼓過濾機的預過濾涂層再生過濾的渣漿料，分層涂層提高了真空轉鼓過濾機的效率，降低了濾布的堵塞程度。

解決本發明技術問題所采用的技術方案是提供一種用于真空轉鼓過濾機的預過濾涂層，所述預過濾涂層包括由第一過濾介質形成的第一預過濾涂層和由第二過濾介質形成的第二預過濾涂層，所述第二過濾介質比所述第一過濾介質細，所述第一預過濾涂層相對于所述第二預過濾涂層更靠近真空轉鼓過濾機的真空轉鼓，所述第二預過濾涂層設置于所述第一預過濾涂層上遠離所述真空轉鼓的一側，其中，所述第二預過濾涂層靠近所述真空轉鼓的一側嵌于所述第一預過濾涂層內。也就是說，所述第二預過濾涂層靠近所述真空轉鼓的一側的第二過濾介質嵌于所述第一預過濾涂層的第一過濾介質。

優選的是，所述第一過濾介質為100～160目，所述第二過濾介質為161～200目。

優選的是，所述第一過濾介質的質量份為32～48質量份，所述第二過濾介質的質量份為30～40質量份。

優選的是，所述的用于真空轉鼓過濾機的預過濾涂層還包括由第三過濾介質形成的第三預過濾涂層，所述第三過濾介質比所述第二過濾介質細，所述第二預過濾涂層相對于所述第三預過濾涂層更靠近真空轉鼓過濾機的真空轉鼓，所述第三預過濾涂層設置于所述第二預過濾涂層上遠離所述真空轉鼓的一側，其中，所述第三預過濾涂層靠近所述真空轉鼓的一側嵌于所述第二預過濾涂層內。也就是說，所述第三預過濾涂層靠近所述真空轉鼓的一側的第三過濾介質嵌于所述第二預過濾涂層的第二過濾介質。