[發明專利]一種選擇發射極雙面PERC電池的制備方法

在審

• 申請號: 201710554640.0
• 申請日: 2017-07-10
• 公開（公告）號: CN107221568A
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發明（設計）人: 魏青竹;陸俊宇;劉曉瑞;連維飛;倪志春;孟思霖
• 申請（專利權）人: 蘇州騰暉光伏技術有限公司;江蘇中利集團股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103
• 代理人: 孫仿衛,李萍

1.一種選擇發射極雙面PERC電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：、

S1、對硅片進行雙面制絨；

S2、對步驟S1處理后的硅片的正面進行氧化層或氮化硅層保護；

S3、根據正極柵線的圖形，在步驟S2處理后的硅片的正面開槽；

S4、對步驟S3處理后的硅片進行正面磷擴散，氧化層或氮化硅層的阻擋使未開槽的區域形成淺擴區，開槽區域形成重擴區，以形成選擇發射極；

S5、對步驟S4處理后的硅片進行背刻或背拋光，并清洗表面磷硅玻璃；

S6、對步驟S5處理后的硅片進行背鈍化，在正面鍍減反射膜；

S7、根據背面電極的圖形，在步驟S6處理后的硅片的背面開槽；

S8、分別在硅片的正面和背面印刷柵線，其中正面柵線覆蓋正面重擴區，背面柵線覆蓋背面開槽區域；

S9、燒結。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S1中，對單晶硅片采用氫氧化鈉和制絨添加劑進行雙面堿制絨，在所述單晶硅片表面形成具有陷光作用的金字塔絨面結構。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S2中，硅片背對背使得正面朝外以放置進行氧化層或氮化硅層保護；

和/或，步驟S4中，硅片背對背放置使得開槽的正面朝外以進行正面磷擴散。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S3中，對硅片的正面進行激光開槽或絲網印刷刻蝕膏或打印刻蝕液，形成寬度為20~100μm、深度為20~60nm的線性開口。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S4中，采用液態POCl₃擴散，擴散溫度為450~850℃，擴散時間為20~45min，淺擴區方阻為80~100Ω/□，重擴區方阻30~50Ω/□。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S5中，將硅片在HNO₃-HF體系溶液或堿溶液中進行背刻或背拋光，并清洗表面磷硅玻璃。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S6包括：

S6-1、在硅片背面通過PEVCD或ALD沉積Al₂O₃鈍化層，厚度為5~30nm；

S6-2、在Al₂O₃鈍化層上面通過PECVD制作80~120nm厚的氮化硅鈍化減反射膜。

8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟S6進一步包括：

S6-3、在硅片正面通過PECVD鍍SiNx減反射膜，厚度為60~85nm。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟S7中，開槽寬度為40~100μm，間距1.0~5.0mm。

10.根據權利要求1-9任一項所述的制備方法，其特征在于，步驟S8中，采用復合鋁漿在硅片背面開槽區域印刷背面柵線，所述復合鋁漿中含有硅和銀。