[發(fā)明專利]基座以及物理氣相沉積裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710554503.7
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107227448B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 武學(xué)偉;王桐;董博宇;張軍;郭冰亮;王軍;張鶴南;徐寶崗;馬懷超;劉紹輝;趙康寧;耿玉潔;王慶軒;崔亞欣
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 焦玉恒

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的實施例涉及一種基座以及包括該基座的物理氣相沉積裝置。

背景技術(shù)

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術(shù)是在真空條件下采用物理方法將材料源(固體或液體)表面氣化成氣態(tài)原子、分子或部分電離成離子，并通過低壓氣體(或等離子體)過程，在襯底表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術(shù)。物理氣相沉積的主要方法有：真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜及分子束外延等。目前，物理氣相沉積技術(shù)不僅可沉積金屬膜、合金膜，還可以沉積化合物、陶瓷、半導(dǎo)體、聚合物膜等。

物理氣相沉積裝置本身的性能直接影響所沉積的膜層的質(zhì)量和產(chǎn)率等。隨著對于各種器件膜層精度、質(zhì)量以及產(chǎn)率的要求不斷提高，對于物理氣相沉積裝置本身性能的改進有著持續(xù)的推動力。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的一個實施例提供一種基座，包括：基座本體，具有一支撐面；支撐柱，位于所述基座本體的所述支撐面的中部區(qū)域；以及支撐件，位于所述基座本體的圍繞所述支撐面的中部區(qū)域的周邊區(qū)域，其中，所述支撐柱被配置為支撐待加工件，所述支撐件被配置為支撐蓋環(huán)，在所述待加工件被所述支撐柱支撐且所述蓋環(huán)被所述支撐件支撐時，所述蓋環(huán)的至少靠近內(nèi)側(cè)的部分位于所述待加工件的上側(cè)，且所述蓋環(huán)與所述待加工件彼此分離。

在一些示例中，所述支撐件的遠(yuǎn)離所述支撐面的端部與所述支撐面之間的距離大于所述支撐柱的遠(yuǎn)離所述支撐面的端部與所述支撐面之間的距離。

在一些示例中，所述支撐件為環(huán)狀結(jié)構(gòu)。

在一些示例中，所述支撐件包括位于所述基座本體的周邊區(qū)域的多個子支撐件。

在一些示例中，所述多個子支撐件的個數(shù)為三個以上，且沿所述基座本體的周向均勻分布。

在一些示例中，所述支撐件的靠近所述支撐柱的內(nèi)側(cè)具有朝向所述支撐柱延伸的延伸部，所述延伸部的至少靠近內(nèi)側(cè)的部分的上表面為平行于所述支撐面的平面，且該平面距所述支撐面的距離小于或等于所述支撐柱的遠(yuǎn)離所述支撐面的端部距所述支撐面的距離。

在一些示例中，在所述待加工件支撐在所述支撐柱上時，所述待加工件的邊緣部分與所述延伸部的所述平面的至少一部分在所述支撐面上的投影重疊，所述支撐件的在所述延伸部的所述平面以上的部分位于所述待加工件的外側(cè)。

在一些示例中，在垂直于所述支撐面的方向上，所述待加工件的下表面與所述支撐件的延伸部的所述平面彼此相對的部分之間形成第一間隙，所述第一間隙在所述支撐面上的投影的徑向長度與所述第一間隙的高度之比大于5。

在一些示例中，在所述待加工件支撐在所述支撐柱上且所述蓋環(huán)支撐在所述支撐件上時，所述蓋環(huán)的至少靠近內(nèi)側(cè)的部分與所述待加工件在所述支撐面上的投影重疊。

在一些示例中，在垂直于所述支撐面的方向上，所述待加工件的上表面與所述蓋環(huán)的至少靠近內(nèi)側(cè)的部分的下表面彼此相對以形成第二間隙，所述第二間隙所述支撐面上的投影的徑向長度與所述第二間隙的高度之比大于5。

在一些示例中，所述支撐柱包括多個子支撐柱，所述多個子支撐柱中的至少之一為熱電偶。

在一些示例中，所述支撐件在遠(yuǎn)離所述基座本體的一側(cè)具有至少一個豁口，所述支撐件在所述豁口處的頂端距所述支撐面的距離小于所述支撐件的其他部分的頂端距所述支撐面的距離。

本公開的另一個實施例提供一種物理氣相沉積裝置，包括：腔體，所述腔體包括彼此相對的底壁和頂壁，以及在所述底壁和頂壁之間的側(cè)壁；如上所述的基座，所述基座設(shè)置于所述腔體的內(nèi)部，垂直于所述基座本體的支撐面的方向與從所述底壁到所述頂壁的方向大致相同，且所述基座本體的支撐面面對所述頂壁。

在一些示例中，所述物理氣相沉積裝置還包括屏蔽件，所述屏蔽件環(huán)繞在至少部分所述腔體的側(cè)壁內(nèi)且連接到所述腔體的側(cè)壁，當(dāng)所述蓋環(huán)沒有支撐在所述支撐件上時，由所述屏蔽件支撐所述蓋環(huán)。

對于本公開實施例的基座以及使用該基座的物理氣相沉積裝置，減小了待加工件所受的外部零件的壓力，待加工件只受到重力及平衡重力的來自支撐柱的支撐力。另外，由于待加工件不與蓋環(huán)接觸，避免了待加工件與蓋環(huán)之間可能發(fā)生的粘連，降低了待加工件破碎及待加工件位置不確定或者待加工件處于不期望的位置上的風(fēng)險。另外，可以有效的防止等離子體繞過待加工件濺射到基座的上表面。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本發(fā)明的一些實施例，而非對本發(fā)明的限制。