[發明專利]基座以及物理氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 201710554503.7
• 申請日: 2017-06-30
• 公開（公告）號: CN107227448B
• 公開（公告）日: 2023-10-13
• 發明（設計）人: 武學偉;王桐;董博宇;張軍;郭冰亮;王軍;張鶴南;徐寶崗;馬懷超;劉紹輝;趙康寧;耿玉潔;王慶軒;崔亞欣
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種基座，包括：

基座本體，具有一支撐面；

支撐柱，位于所述基座本體的所述支撐面的中部區域；以及

支撐件，位于所述基座本體的圍繞所述支撐面的中部區域的周邊區域，

其中，所述支撐柱被配置為支撐待加工件，所述支撐件被配置為支撐蓋環，在所述待加工件被所述支撐柱支撐且所述蓋環被所述支撐件支撐時，所述蓋環的至少靠近內側的部分位于所述待加工件的上側，且所述蓋環與所述待加工件彼此分離。

2.根據權利要求1所述的基座，其中，所述支撐件的遠離所述支撐面的端部與所述支撐面之間的距離大于所述支撐柱的遠離所述支撐面的端部與所述支撐面之間的距離。

3.根據權利要求1所述的基座，其中，所述支撐件為環狀結構。

4.根據權利要求1所述的基座，其中，所述支撐件包括位于所述基座本體的周邊區域的多個子支撐件。

5.根據權利要求4所述的基座，其中，所述多個子支撐件的個數為三個以上，且沿所述基座本體的周向均勻分布。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的基座，其中，所述支撐件的靠近所述支撐柱的內側具有朝向所述支撐柱延伸的延伸部，所述延伸部的至少靠近內側的部分的上表面為平行于所述支撐面的平面，且該平面距所述支撐面的距離小于或等于所述支撐柱的遠離所述支撐面的端部距所述支撐面的距離。

7.根據權利要求6所述的基座，其中，在所述待加工件支撐在所述支撐柱上時，所述待加工件的邊緣部分與所述延伸部的所述平面的至少一部分在所述支撐面上的投影重疊，所述支撐件的在所述延伸部的所述平面以上的部分位于所述待加工件的外側。

8.根據權利要求7所述的基座，其中，在垂直于所述支撐面的方向上，所述待加工件的下表面與所述支撐件的延伸部的所述平面彼此相對的部分之間形成第一間隙，所述第一間隙在所述支撐面上的投影的徑向長度與所述第一間隙的高度之比大于5。

9.根據權利要求1-5中任一項所述的基座，其中，在所述待加工件支撐在所述支撐柱上且所述蓋環支撐在所述支撐件上時，所述蓋環的至少靠近內側的部分與所述待加工件在所述支撐面上的投影重疊。

10.根據權利要求9所述的基座，其中，在垂直于所述支撐面的方向上，所述待加工件的上表面與所述蓋環的至少靠近內側的部分的下表面彼此相對以形成第二間隙，所述第二間隙所述支撐面上的投影的徑向長度與所述第二間隙的高度之比大于5。

11.根據權利要求1-5中任一項所述的基座，其中，所述支撐柱包括多個子支撐柱，所述多個子支撐柱中的至少之一為熱電偶。

12.根據權利要求3所述的基座，其中，所述支撐件在遠離所述基座本體的一側具有至少一個豁口，所述支撐件在所述豁口處的頂端距所述支撐面的距離小于所述支撐件的其他部分的頂端距所述支撐面的距離。

13.一種物理氣相沉積裝置，包括：

腔體，所述腔體包括彼此相對的底壁和頂壁，以及在所述底壁和頂壁之間的側壁；

根據權利要求1-12中任一項所述的基座，所述基座設置于所述腔體的內部，垂直于所述基座本體的支撐面的方向與從所述底壁到所述頂壁的方向大致相同，且所述基座本體的支撐面面對所述頂壁。

14.根據權利要求13所述的物理氣相沉積裝置，還包括屏蔽件，所述屏蔽件環繞在至少部分所述腔體的側壁內且連接到所述腔體的側壁，當所述蓋環沒有支撐在所述支撐件上時，由所述屏蔽件支撐所述蓋環。