[發明專利]一種加熱承載臺及其控制方法、薄膜封裝設備有效
| 申請號: | 201710552534.9 | 申請日: | 2017-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN107195572B | 公開(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發明(設計)人: | 全威 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/683;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤湘 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 加熱 承載 及其 控制 方法 薄膜 封裝 設備 | ||
本發明設計顯示技術領域,公開一種加熱承載臺及其控制方法、薄膜封裝設備,加熱承載臺包括:承載臺本體;第一加熱裝置,第一加熱裝置在承載臺本體上形成第一加熱區域;第二加熱裝置,第二加熱裝置在承載臺本體上形成第二加熱區域,第二加熱區域圍繞第一加熱區域設置;溫控裝置,溫控裝置分別與第一加熱裝置和第二加熱裝置連接,并用于控制第一加熱裝置和第二加熱裝置的溫度,以使第二加熱裝置在加熱過程中的溫度高于第一加熱裝置在加熱過程中的溫度,且使第一加熱裝置的溫度在加熱過程中逐漸降低。可改善現有技術中的加熱承載臺造成OLED器件的封裝膜邊緣致密度不足和有機材料壽命下降,進而導致OLED器件的信賴性和良率降低的問題。
技術領域
本發明涉及顯示技術領域,特別涉及一種加熱承載臺及其控制方法、薄膜封裝設備。
背景技術
OLED(Organic Light-Emitting Diode;有機電致發光)器件具有功耗低、輕便、亮度高、視野寬及高對比度和反應速度快等特點,目前已經廣泛應用于消費電子產品市場。為提高OLED器件的使用壽命,在OLED器件的生產過程中需采用封裝工藝對OLED器件進行封裝,以降低使用過程中水氧滲透造成的侵蝕。薄膜封裝是目前一種常用的封裝方法,通過在OLED器件上設置一層或多層由有機材料或無機材料形成的薄膜,可起到使OLED器件與外界環境隔絕、減緩水氧滲透的作用。
目前的封裝工藝中多采用PECVD((Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition;等離子體增強化學氣相沉積)方法進行封裝薄膜的制備,PECVD方法通過使成膜材料的氣體電離并形成等離子體,然后在基片上沉積出所需的薄膜。在封裝工藝過程中,將形成有OLED器件的基板放置于加熱承載臺上,隨著基板被加熱到一定溫度,等離子體形態的封裝材料沉積于OLED器件上,從而形成封裝薄膜。然而,現有技術中的加熱承載臺易使基板受熱不均勻,從而導致沉積的封裝薄膜的邊緣致密程度不足,在OLED器件的使用過程中易滲入水氧;且加熱承載臺在對基板進行加熱的過程中,易使基板上的OLED器件熱量積累過多而導致溫度上升過高,降低了OLED器件中的有機材料的使用壽命。因此,現有技術中的加熱承載臺會造成OLED器件的封裝膜邊緣致密度不足和有機材料壽命下降的問題,降低了OLED器件的信賴性和良率。
發明內容
本發明提供了一種加熱承載臺及其控制方法、薄膜封裝設備,用于解決現有技術中的加熱承載臺造成OLED器件的封裝膜邊緣致密度不足和有機材料壽命下降,進而導致OLED器件的信賴性和良率降低的問題。
為實現上述目的,本發明提供如下的技術方案:
一種加熱承載臺,包括:
承載臺本體;
第一加熱裝置,所述第一加熱裝置在所述承載臺本體上形成第一加熱區域;
第二加熱裝置,所述第二加熱裝置在所述承載臺本體上形成第二加熱區域,所述第二加熱區域圍繞所述第一加熱區域設置;
溫控裝置,所述溫控裝置分別與所述第一加熱裝置和所述第二加熱裝置連接,并用于控制所述第一加熱裝置和第二加熱裝置的溫度,以使所述第二加熱裝置在加熱過程中的溫度高于所述第一加熱裝置在加熱過程中的溫度,且使所述第一加熱裝置的溫度在加熱過程中逐漸降低。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710552534.9/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種偵測系統
- 下一篇:一種可降低酸耗的SCHMID刻蝕槽及其使用方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





