[發(fā)明專(zhuān)利]一種加熱承載臺(tái)及其控制方法、薄膜封裝設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710552534.9 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107195572B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 全威 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/683;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭潤(rùn)湘 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 加熱 承載 及其 控制 方法 薄膜 封裝 設(shè)備 | ||
1.一種加熱承載臺(tái),其特征在于,包括:
承載臺(tái)本體;
第一加熱裝置,所述第一加熱裝置在所述承載臺(tái)本體上形成第一加熱區(qū)域;
第二加熱裝置,所述第二加熱裝置在所述承載臺(tái)本體上形成第二加熱區(qū)域,所述第二加熱區(qū)域圍繞所述第一加熱區(qū)域設(shè)置;
溫控裝置,所述溫控裝置分別與所述第一加熱裝置和所述第二加熱裝置連接,并用于控制所述第一加熱裝置和第二加熱裝置的溫度,以使所述第二加熱裝置在加熱過(guò)程中的溫度高于所述第一加熱裝置在加熱過(guò)程中的溫度,且使所述第一加熱裝置的溫度在加熱過(guò)程中逐漸降低;
所述第一加熱裝置包括第一加熱管路,所述第一加熱管路盤(pán)繞形成所述第一加熱區(qū)域;
所述第二加熱裝置包括第二加熱管路,所述第二加熱管路圍繞所述第一加熱管路形成所述第二加熱區(qū)域;
所述第一加熱裝置包括與所述第一加熱管路連通的第一循環(huán)機(jī)構(gòu),所述第一循環(huán)機(jī)構(gòu)用于使加熱后的導(dǎo)熱液體在所述第一加熱管路內(nèi)循環(huán)流動(dòng);
所述第二加熱裝置包括與所述第二加熱管路連通的第二循環(huán)機(jī)構(gòu),所述第二循環(huán)機(jī)構(gòu)用于使加熱后的導(dǎo)熱液體在所述第二加熱管路內(nèi)循環(huán)流動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱承載臺(tái),其特征在于,所述導(dǎo)熱液體為水或熱傳導(dǎo)液。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱承載臺(tái),其特征在于,所述第一加熱管路由銅或鋁材料制備,所述第二加熱管路由銅或鋁材料制備。
4.一種如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的加熱承載臺(tái)的控制方法,其特征在于,所述溫控裝置控制所述第二加熱裝置在加熱過(guò)程中的溫度高于所述第一加熱裝置在加熱過(guò)程中的溫度,并控制所述第一加熱裝置的溫度在加熱過(guò)程中逐漸降低。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加熱承載臺(tái)的控制方法,其特征在于,所述溫控裝置控制所述第二加熱裝置在加熱過(guò)程中的溫度高于所述第一加熱裝置在加熱過(guò)程中的溫度5℃-8℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加熱承載臺(tái)的控制方法,其特征在于,所述溫控裝置控制所述第一加熱裝置的溫度在加熱過(guò)程開(kāi)始后每分鐘降低5℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的加熱承載臺(tái)的控制方法,其特征在于,所述溫控裝置控制所述第一加熱裝置的溫度在加熱過(guò)程中由80℃下降到65℃。
8.一種薄膜封裝設(shè)備,其特征在于,包括如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的加熱承載臺(tái)。
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





