[發明專利]半導體存儲裝置的形成方法

在審

• 申請號: 201710549871.2
• 申請日: 2017-07-07
• 公開（公告）號: CN109216383A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 張翊菁;張峰溢;李甫哲;陳界得
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于包含：

提供一基底，該基底包含周邊區與存儲區；

在該基底的該存儲區形成朝向一第一方向延伸的多條位線，各該位線的兩側包含一側壁結構，且該側壁結構具有三層結構；

在該基底的該存儲區形成多個第一插塞，該些第一插塞位于各該位線兩側；

形成多個導電圖案，該些導電圖案分別對位并接觸該些第一插塞；

在形成該些導電圖案后，進行一化學反應制作工藝，改質該側壁結構的該三層結構中的一第二層間隙壁；以及

進行一熱處理制作工藝，移除改質后的該第二層間隙壁，以在該側壁結構中形成一空隙層。

2.依據權利要求1所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，還包含：

在該基底的該周邊區形成一柵極結構，該柵極結構朝向一第二方向延伸，該第二方向垂直該第一方向；以及

在該基底的該周邊區形成多個第二插塞，該些第二插塞電連接該柵極結構兩側的源極/漏極區。

3.依據權利要求2所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，該柵極結構是與該些位線同時形成。

4.依據權利要求2所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，該些第二插塞是與該些第一插塞同時形成。

5.依據權利要求2所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，該些導電圖案是呈一矩陣排列，且分別電連接位于該存儲區的該些第一插塞與位于該周邊區的該些第二插塞。

6.依據權利要求2所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，還包含：

在進行該化學反應制作工藝之前，在該基底的該周邊區上形成一掩模層，覆蓋該柵極結構與該些第二插塞。

7.依據權利要求6所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，在該熱處理制作工藝后，完全移除該掩模層。

8.依據權利要求1所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，該第二層間隙壁包含氧化硅。

9.依據權利要求1所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，該化學反應制作工藝包含通入一藥劑，使該第二層間隙壁形成六氟硅酸銨。

10.依據權利要求9所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，該藥試劑包含氮氣、氫氣與三氟化氮。

11.依據權利要求9所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，該藥劑包含氟化銨。

12.依據權利要求1所述的半導體存儲裝置的形成方法，其特征在于，該熱處理制作工藝包含提供100度至150度的高溫，使改質后的該第二層間隙壁揮發。