[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710549860.4
• 申請(qǐng)日: 2017-07-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109216360B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳姿潔;陳品宏;蔡志杰;吳佳臻;黃怡安;張凱鈞;鄭存閔;陳意維
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 聯(lián)華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/108
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/108
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于包含：

一個(gè)基底；

多個(gè)柵極，設(shè)置在該基底內(nèi)；

多個(gè)插塞，設(shè)置在該基底上，該些插塞分別電連接該些柵極兩側(cè)的該基底；

一個(gè)電容結(jié)構(gòu)，設(shè)置在該基底上，該電容結(jié)構(gòu)包含多個(gè)電容，各該電容分別電連接該些插塞；

一個(gè)半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層覆蓋在該電容結(jié)構(gòu)上并直接接觸該電容結(jié)構(gòu)，且一部分的該半導(dǎo)體層充填于各電容之間；

一個(gè)導(dǎo)電蓋層，覆蓋在該電容結(jié)構(gòu)的頂表面與側(cè)壁上的半導(dǎo)體層上；

一個(gè)粘著層，覆蓋在該導(dǎo)電蓋層與該電容結(jié)構(gòu)之上；以及

一個(gè)絕緣層，覆蓋在該粘著層上。

2.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該粘著層包含鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鋁、氮化鎢或鈷。

3.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該粘著層包含一復(fù)合層結(jié)構(gòu)。

4.依據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該復(fù)合層結(jié)構(gòu)是選自于由鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭、鋁、氮化鎢及鈷所組成的群組。

5.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，支撐層連接該電容結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，該半導(dǎo)體層覆蓋在該電容結(jié)構(gòu)該側(cè)壁的連接支撐層的部分具有較大的厚度。

6.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，支撐層連接該電容結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，該半導(dǎo)體層覆蓋在該電容結(jié)構(gòu)該側(cè)壁的部分具有不平整的表面。

7.依據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該導(dǎo)電蓋層與該粘著層是共型地覆蓋在該半導(dǎo)體層上。

8.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，各該電容包含一個(gè)下電極、一個(gè)電容介電層以及一個(gè)上電極，各該下電極分別接觸該些插塞。

9.依據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，該絕緣層包含氧化硅。