[發明專利]納米線柵偏光片的制作方法

在審

• 申請號: 201710547634.2
• 申請日: 2017-07-06
• 公開（公告）號: CN107203017A
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 侯俊
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;G03F7/00;G02F1/1335
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304
• 代理人: 孫偉峰

技術領域

本發明屬于LCD制作技術領域，具體地講，涉及一種納米線柵偏光片的制作方法。

背景技術

LCD(Liquid Crystal Display)液晶顯示器作為信息交流的平臺和載體，承載著大量信息的傳遞，在科技發展和進步的社會背景下起著越來越重要的作用，并且逐漸成為人們關注的重點，人們對新的顯示模式和顯示效果也有了越來越多的期望。偏光板作為LCD液晶顯示器的重要組成部分，會吸收與偏光軸垂直方向的光，只讓偏光軸方向的光通過，從而將自然光轉變成直線偏振光，但這樣會損失50％以上的光，這極大地降低了LCD液晶顯示器的整體透過率。

納米線柵能夠透過電場方向垂直于線柵方向的入射光，而將電場方向平行于線柵方向的光反射，基于這樣的工作原理，可以通過增加防反射膜等方式將反射光重新利用，所以納米線柵偏光片透過入射光的能力遠遠大于傳統偏光片，其透過率可達90％以上，且對比度也有10000:1之高，可以大幅度提高LCD液晶顯示器的透過率和對比度，滿足市場上高穿透、高對比的需求。

納米線柵的偏光特性由線柵材料及其結構決定的，線柵的結構參數主要包括線柵寬度(linewidth)、線柵深度(depth)及線柵周期(aspect ratio)等。當線柵周期足夠小、且達到遠小于入射光波長范圍時，線柵能反射幾乎全部與線柵平行振動的電場矢量分量的光，使垂直于線柵的電場矢量分量的光幾乎全部透過，且線柵周期越小，偏振效果越好。因此，如何獲取足夠小的線柵周期以及合適的深寬比成為制備納米線柵的關鍵。目前主流的制備方法是利用干刻蝕，其原理是使用高能等離子體轟擊線柵材料，使無PR保護的材料分子逸出，達到刻蝕的效果，此方法刻蝕精確，可獲得較大深寬比的納米線柵，但能耗過大且設備昂貴。

發明內容

為解決上述現有技術存在的問題，本發明采用了如下的技術方案：

一種納米線柵偏光片的制作方法，包括步驟：

S1、提供一納米壓印模板，并采用光阻材料對所述納米壓印模板進行填充，獲得納米壓印組件；

S2、將所述納米壓印組件與導電襯底對組，使所述光阻材料固化于所述導電襯底的表面上，去除所述納米壓印模板，在所述導電襯底的表面上形成納米光阻陣列；其中，所述納米光阻陣列之間具有第一空隙陣列；

S3、采用電沉積法在所述第一空隙陣列中沉積金屬，并去除所述納米光阻陣列，在所述導電襯底的表面上形成納米線柵，得到納米線柵偏光片。

進一步地，所述步驟S2的具體方法包括：

將所述納米壓印組件與所述導電襯底對組，并在高于所述光阻材料的熔點的溫度下對所述納米壓印組件施壓，使所述光阻材料與所述導電襯底接觸；

調整溫度至低于所述光阻材料的熔點，使所述光阻材料固化于所述導電襯底的表面上；

去除所述納米壓印模板，在所述導電襯底的表面上形成所述納米光阻陣列。

進一步地，所述導電襯底包括基板以及設置于所述基板上的導電層。

進一步地，所述基板選自玻璃基板、PI膜或PET膜中的任意一種；所述導電層的材料選自ITO、石墨烯、透明導電材料中的任意一種。

進一步地，所述步驟S3的具體方法包括：

以所述金屬的塊體材料為陽極、以所述導電層為陰極，將所述陽極和所述陰極浸于電解液中；

在所述陽極和所述陰極之間施加直流電，在所述第一空隙陣列中沉積所述金屬；

待所述金屬沉積完畢后，去除所述納米光阻陣列，在所述導電襯底的表面上形成所述納米線柵，得到所述納米線柵偏光片；其中，所述納米線柵的材料的還原電位高于所述導電層的材料的還原電位。

進一步地，所述電解液中包含有所述金屬的無機鹽、表面活性劑和整平劑。

進一步地，所述導電層的材料為ITO，所述陽極的材料為Au，所述金屬的無機鹽為AuCl₃；或所述導電層的材料為ITO，所述陽極的材料為Ag，所述金屬的無機鹽為AgCl。

進一步地，所述納米壓印模板的表面具有第二空隙陣列，所述光阻材料填充在所述第二空隙陣列中，以形成所述納米壓印組件。