[發明專利]納米線柵偏光片的制作方法在審
| 申請號： | 201710547634.2 | 申請日： | 2017-07-06 |
| 公開（公告）號： | CN107203017A | 公開（公告）日： | 2017-09-26 |
| 發明（設計）人： | 侯俊 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G02B5/30 | 分類號： | G02B5/30;G03F7/00;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 偏光 制作方法 | ||
1.一種納米線柵偏光片的制作方法，其特征在于，包括步驟：
S1、提供一納米壓印模板，并采用光阻材料對所述納米壓印模板進行填充，獲得納米壓印組件；
S2、將所述納米壓印組件與導電襯底對組，使所述光阻材料固化于所述導電襯底的表面上，去除所述納米壓印模板，在所述導電襯底的表面上形成納米光阻陣列；其中，所述納米光阻陣列之間具有第一空隙陣列；
S3、采用電沉積法在所述第一空隙陣列中沉積金屬，并去除所述納米光阻陣列，在所述導電襯底的表面上形成納米線柵，得到納米線柵偏光片。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S2的具體方法包括：
將所述納米壓印組件與所述導電襯底對組，并在高于所述光阻材料的熔點的溫度下對所述納米壓印組件施壓，使所述光阻材料與所述導電襯底接觸；
調整溫度至低于所述光阻材料的熔點，使所述光阻材料固化于所述導電襯底的表面上；
去除所述納米壓印模板，在所述導電襯底的表面上形成所述納米光阻陣列。
3.根據權利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述導電襯底包括基板以及設置于所述基板上的導電層。
4.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述基板選自玻璃基板、PI膜或PET膜中的任意一種；所述導電層的材料選自ITO、石墨烯、透明導電材料中的任意一種。
5.根據權利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述步驟S3的具體方法包括：
以所述金屬的塊體材料為陽極、以所述導電層為陰極，將所述陽極和所述陰極浸于電解液中；
在所述陽極和所述陰極之間施加直流電，在所述第一空隙陣列中沉積所述金屬；
待所述金屬沉積完畢后，去除所述納米光阻陣列，在所述導電襯底的表面上形成所述納米線柵，得到所述納米線柵偏光片；其中，所述納米線柵的材料的還原電位高于所述導電層的材料的還原電位。
6.根據權利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述電解液中包含有所述金屬的無機鹽、表面活性劑和整平劑。
7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述導電層的材料為ITO，所述陽極的材料為Au，所述金屬的無機鹽為AuCl3；
或所述導電層的材料為ITO，所述陽極的材料為Ag，所述金屬的無機鹽為AgCl。
8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述納米壓印模板的表面具有第二空隙陣列，所述光阻材料填充在所述第二空隙陣列中，以形成所述納米壓印組件。
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