[發(fā)明專(zhuān)利]元件芯片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710546105.0
• 申請(qǐng)日: 2017-07-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107591321B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 置田尚吾;廣島滿(mǎn);針貝篤史;松原功幸;伊藤彰宏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/3065
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 中科專(zhuān)利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 李國(guó)華

1.一種元件芯片的制造方法，包括：

準(zhǔn)備基板，所述基板具備露出有金屬電極的第一面、所述第一面的相反側(cè)的第二面、形成有所述金屬電極的多個(gè)元件區(qū)域、以及劃分所述元件區(qū)域的分割區(qū)域；

在所述基板的所述第一面沿著所述金屬電極形成被覆所述金屬電極并且具有使所述分割區(qū)域露出的開(kāi)口的掩模；以及

將所述基板的所述第一面暴露于第一等離子體，在所述金屬電極由所述掩模被覆的狀態(tài)下，對(duì)露出在所述開(kāi)口的所述分割區(qū)域進(jìn)行蝕刻，直至到達(dá)所述第二面，從而將所述基板單片化，

所述金屬電極是突出電極，

所述掩模的形成，包括從噴涂裝置具備的噴嘴將包含所述掩模的原料并且由甲基乙基酮或丙二醇一甲基醚乙酸酯稀釋了的液體與壓縮氣體一同吹附到所述基板的所述第一面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件芯片的制造方法，還包括：

用保持帶保持所述基板的所述第二面；以及

在形成所述掩模之后，且在由所述保持帶保持所述基板的所述第二面之后，在將所述基板單片化之前，將所述基板經(jīng)由所述保持帶載置在載置臺(tái)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的元件芯片的制造方法，還包括：

在所述基板的單片化之后，將保持在所述保持帶的狀態(tài)的所述單片化了的所述基板暴露于第二等離子體，從而除去所述掩模而使所述金屬電極露出。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的元件芯片的制造方法，所述基板具備：

第一層，其是具有所述第二面的半導(dǎo)體層；以及

第二層，其是形成在所述第一層上、具有所述第一面并在所述第一面形成有所述金屬電極的布線(xiàn)層，

在形成所述掩模之后，隔著所述掩模在所述基板表面粘附保護(hù)帶，并對(duì)所述第一層進(jìn)行研磨。