[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置及其讀出方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710545490.7
• 申請(qǐng)日: 2017-07-06
• 公開（公告）號(hào): CN107785050B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山內(nèi)一貴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/26
• 分類號(hào): G11C16/26;G11C16/24
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的讀出方法，所述讀出方法的特征在于包括下述步驟：

對(duì)選擇位線進(jìn)行預(yù)充電；以及

對(duì)經(jīng)預(yù)充電的所述選擇位線的電壓或電流從讀出節(jié)點(diǎn)進(jìn)行讀出，

所述對(duì)選擇位線進(jìn)行預(yù)充電的步驟包括下述步驟：

將所述讀出節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至第1電壓；

對(duì)于位于所述讀出節(jié)點(diǎn)與位線之間的位線用節(jié)點(diǎn)，基于所述讀出節(jié)點(diǎn)的所述第1電壓，將所述位線用節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至第1箝位電壓；

在通過(guò)所述第1箝位電壓對(duì)所述選擇位線進(jìn)行預(yù)充電后，將所述位線用節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至比所述第1箝位電壓大的第2箝位電壓；以及

將所述讀出節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至比所述第1電壓大的第2電壓。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀出方法，其特征在于，

所述讀出節(jié)點(diǎn)是經(jīng)由第1晶體管來(lái)進(jìn)行預(yù)充電，所述位線用節(jié)點(diǎn)是經(jīng)由第2晶體管來(lái)進(jìn)行預(yù)充電。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的讀出方法，其特征在于，

通過(guò)對(duì)所述第1晶體管的柵極施加第1信號(hào)電壓來(lái)將所述第1電壓預(yù)充電至所述讀出節(jié)點(diǎn)，通過(guò)對(duì)所述第1晶體管的柵極施加第2信號(hào)電壓來(lái)將所述第2電壓預(yù)充電至所述讀出節(jié)點(diǎn)，且所述第2信號(hào)電壓大于所述第1信號(hào)電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的讀出方法，其特征在于，

通過(guò)對(duì)所述第2晶體管的柵極施加所述第1箝位用電壓來(lái)將所述位線用節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至所述第1箝位電壓，通過(guò)對(duì)所述第2晶體管的柵極施加所述第2箝位用電壓來(lái)將所述位線用節(jié)點(diǎn)預(yù)充電至所述第2箝位電壓，且所述第2箝位用電壓大于所述第1箝位用電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀出方法，其特征在于，

所述對(duì)選擇位線進(jìn)行預(yù)充電的步驟還包括：

將所述位線用節(jié)點(diǎn)的所述第1箝位電壓預(yù)充電至耦合于位線的節(jié)點(diǎn)；以及

將所述位線用節(jié)點(diǎn)的所述第2箝位電壓預(yù)充電至所述耦合于位線的節(jié)點(diǎn)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的讀出方法，其特征在于，

所述耦合于位線的節(jié)點(diǎn)是經(jīng)由第3晶體管來(lái)進(jìn)行預(yù)充電。

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的讀出方法，其特征在于，

所述對(duì)選擇位線進(jìn)行預(yù)充電的步驟還包括：

基于對(duì)所述耦合于位線的節(jié)點(diǎn)預(yù)充電的電壓，來(lái)對(duì)偶數(shù)位線或奇數(shù)位線進(jìn)行預(yù)充電。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的讀出方法，其特征在于，

所述偶數(shù)位線或所述奇數(shù)位線是經(jīng)由偶數(shù)位線選擇晶體管或奇數(shù)位線選擇晶體管來(lái)進(jìn)行預(yù)充電。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的讀出方法，其特征在于，

在對(duì)所述選擇位線進(jìn)行預(yù)充電時(shí)，進(jìn)行先前讀出的數(shù)據(jù)的輸出。

10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的讀出方法，其特征在于，

在對(duì)所述選擇位線進(jìn)行預(yù)充電時(shí)，進(jìn)行先前讀出的數(shù)據(jù)的輸出與錯(cuò)誤檢測(cè)糾正運(yùn)算。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的讀出方法，其特征在于，

所述半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置為與非型閃速存儲(chǔ)器。

12.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，其特征在于，包括：

存儲(chǔ)胞元陣列，形成有多個(gè)存儲(chǔ)胞元；以及

讀出部件，耦接所述存儲(chǔ)胞元陣列，用以讀出存儲(chǔ)于所述存儲(chǔ)胞元陣列的存儲(chǔ)胞元中的數(shù)據(jù)，

所述讀出部件包含讀出電路，所述讀出電路對(duì)耦接所述讀出部件的選擇位線進(jìn)行預(yù)充電，并讀出經(jīng)預(yù)充電的所述選擇位線的電壓或電流，

所述讀出電路包含耦接讀出節(jié)點(diǎn)并且用于對(duì)所述讀出節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電的預(yù)充電用晶體管、及連接于所述讀出節(jié)點(diǎn)與位線之間的箝位用晶體管，

所述讀出部件經(jīng)由所述預(yù)充電用晶體管來(lái)兩次對(duì)所述讀出節(jié)點(diǎn)進(jìn)行預(yù)充電，且經(jīng)由所述箝位用晶體管來(lái)兩次對(duì)所述選擇位線進(jìn)行預(yù)充電。