[發明專利]半導體存儲裝置及其讀出方法

有效

• 申請號: 201710545490.7
• 申請日: 2017-07-06
• 公開（公告）號: CN107785050B
• 公開（公告）日: 2020-07-14
• 發明（設計）人: 山內一貴
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/26
• 分類號: G11C16/26;G11C16/24
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 馬雯雯;臧建明

1.一種半導體存儲裝置的讀出方法，所述讀出方法的特征在于包括下述步驟：

對選擇位線進行預充電；以及

對經預充電的所述選擇位線的電壓或電流從讀出節點進行讀出，

所述對選擇位線進行預充電的步驟包括下述步驟：

將所述讀出節點預充電至第1電壓；

對于位于所述讀出節點與位線之間的位線用節點，基于所述讀出節點的所述第1電壓，將所述位線用節點預充電至第1箝位電壓；

在通過所述第1箝位電壓對所述選擇位線進行預充電后，將所述位線用節點預充電至比所述第1箝位電壓大的第2箝位電壓；以及

將所述讀出節點預充電至比所述第1電壓大的第2電壓。

2.根據權利要求1所述的讀出方法，其特征在于，

所述讀出節點是經由第1晶體管來進行預充電，所述位線用節點是經由第2晶體管來進行預充電。

3.根據權利要求2所述的讀出方法，其特征在于，

通過對所述第1晶體管的柵極施加第1信號電壓來將所述第1電壓預充電至所述讀出節點，通過對所述第1晶體管的柵極施加第2信號電壓來將所述第2電壓預充電至所述讀出節點，且所述第2信號電壓大于所述第1信號電壓。

4.根據權利要求2所述的讀出方法，其特征在于，

通過對所述第2晶體管的柵極施加所述第1箝位用電壓來將所述位線用節點預充電至所述第1箝位電壓，通過對所述第2晶體管的柵極施加所述第2箝位用電壓來將所述位線用節點預充電至所述第2箝位電壓，且所述第2箝位用電壓大于所述第1箝位用電壓。

5.根據權利要求1所述的讀出方法，其特征在于，

所述對選擇位線進行預充電的步驟還包括：

將所述位線用節點的所述第1箝位電壓預充電至耦合于位線的節點；以及

將所述位線用節點的所述第2箝位電壓預充電至所述耦合于位線的節點。

6.根據權利要求5所述的讀出方法，其特征在于，

所述耦合于位線的節點是經由第3晶體管來進行預充電。

7.根據權利要求5或6所述的讀出方法，其特征在于，

所述對選擇位線進行預充電的步驟還包括：

基于對所述耦合于位線的節點預充電的電壓，來對偶數位線或奇數位線進行預充電。

8.根據權利要求7所述的讀出方法，其特征在于，

所述偶數位線或所述奇數位線是經由偶數位線選擇晶體管或奇數位線選擇晶體管來進行預充電。

9.根據權利要求1至6中任一項所述的讀出方法，其特征在于，

在對所述選擇位線進行預充電時，進行先前讀出的數據的輸出。

10.根據權利要求1至6中任一項所述的讀出方法，其特征在于，

在對所述選擇位線進行預充電時，進行先前讀出的數據的輸出與錯誤檢測糾正運算。

11.根據權利要求1至6中任一項所述的讀出方法，其特征在于，

所述半導體存儲裝置為與非型閃速存儲器。

12.一種半導體存儲裝置，其特征在于，包括：

存儲胞元陣列，形成有多個存儲胞元；以及

讀出部件，耦接所述存儲胞元陣列，用以讀出存儲于所述存儲胞元陣列的存儲胞元中的數據，

所述讀出部件包含讀出電路，所述讀出電路對耦接所述讀出部件的選擇位線進行預充電，并讀出經預充電的所述選擇位線的電壓或電流，

所述讀出電路包含耦接讀出節點并且用于對所述讀出節點進行預充電的預充電用晶體管、及連接于所述讀出節點與位線之間的箝位用晶體管，

所述讀出部件經由所述預充電用晶體管來兩次對所述讀出節點進行預充電，且經由所述箝位用晶體管來兩次對所述選擇位線進行預充電。