[發明專利]光電轉換設備、成像系統、及光電轉換設備的制造方法有效
| 申請號: | 201710544402.1 | 申請日: | 2017-07-06 |
| 公開(公告)號: | CN107591418B | 公開(公告)日: | 2022-01-14 |
| 發明(設計)人: | 碓井崇;鳥居慶大;大貫裕介;稻秀樹 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/14 | 分類號: | H01L27/14;H01L27/144;H01L27/146 |
| 代理公司: | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人: | 周博俊 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 光電 轉換 設備 成像 系統 制造 方法 | ||
一種光電轉換設備、成像系統、及光電轉換設備的制造方法,該光電轉換設備包括設置在光電轉換單元上方的波導構件,以及設置在基板上方并且包圍波導構件的至少一部分的絕緣構件。波導構件具有從基板依次布置的第一側面、第二側面和第三側面。第一側面的傾斜角小于第二側面的傾斜角。第三側面的傾斜角小于第二側面的傾斜角。第二側面的傾斜角小于90度。
技術領域
本發明涉及光電轉換設備、成像系統、可移動裝置以及光電轉換設備的制造方法。
背景技術
日本專利公開No.2007-194606(以下稱“PTL 1”)中描述的光電轉換設備具有光電轉換單元和設置在光電轉換單元上方的波導。對于PTL 1中描述的波導,平行于光電轉換單元的光接收表面的波導的截面積隨著與光接收表面的距離增加而增加,而且其增加率持續增加。這意味著,離光接收表面越遠,波導的側面的傾斜增加越多。這種配置使得波導的入射面能夠增加,由此提高靈敏度。
發明內容
根據本公開的一方面的光電轉換設備包括:設置在基板中的光電轉換單元;設置在光電轉換單元上方的波導構件;以及設置在基板上方并且包圍波導構件的至少一部分的絕緣構件。波導構件具有從基板按以下順序布置的第一側面、第二側面和第三側面。第二側面的傾斜角小于90度。第一側面的傾斜角小于第二側面的傾斜角。第三側面的傾斜角度小于第二側面的傾斜角。
根據本公開的另一方面的光電轉換設備包括:設置在基板中的光電轉換單元;設置在基板上方并且在與光電轉換單元對應的位置處具有開口的絕緣構件;以及設置在光電轉換單元上方且在所述開口內的波導構件。開口具有從基板按以下順序布置的第一側面、第二側面和第三側面。第二側面的傾斜角小于90度。第一側面的傾斜角小于第二側面的傾斜角。第三側面的傾斜角小于第二側面的傾斜角。
光電轉換設備的制造方法包括:形成包括第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜的絕緣構件,這些絕緣膜從基板按以上順序布置在包括光電轉換單元的基板上;在與光電轉換單元對應的位置處在絕緣構件中形成開口;以及在所述開口中形成波導構件。由第一絕緣膜提供的第一側面的傾斜角小于由第二絕緣膜提供的第二側面的傾斜角。由第三絕緣膜提供的第三側面的傾斜角小于第二側面的傾斜角。第二側面的傾斜角小于90度。
參考附圖從以下對示例性實施例的描述,本發明的其它特征將變得清楚。
附圖說明
圖1A至1C示意性地圖示光電轉換設備,圖1A圖示光電轉換設備的平面配置,而圖1B和1C圖示光電轉換設備的截面結構。
圖2是示意性地圖示光電轉換設備的截面結構的圖。
圖3A至3E是示意性地圖示光電轉換設備的截面結構的圖。
圖4A至4C示意性地圖示光電轉換設備,圖4A圖示光電轉換設備的平面配置,而4B和4C圖示光電轉換設備的截面結構。
圖5A至5C示意性地圖示光電轉換設備,圖5A圖示光電轉換設備的平面配置,而圖5B和5C圖示光電轉換設備的截面結構。
圖6是示意性地圖示光電轉換設備的平面結構的圖。
圖7A和7B是示意性地圖示光電轉換設備的截面結構的圖。
圖8A和8B是示意性地圖示光電轉換設備的截面結構的圖。
圖9A和9B是示意性地圖示光電轉換設備的平面結構的圖。
圖10是示意性地圖示光電轉換設備的截面結構的圖。
圖11A至11C是示意性地圖示光電轉換設備的截面結構的圖。
圖12是圖示成像系統的實施例的框圖。
圖13A和13B是可移動裝置的實施例的框圖。
具體實施方式
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于佳能株式會社,未經佳能株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710544402.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種枸杞板栗酒及其制備方法
- 下一篇:一種護肝養胃酒
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





