[發(fā)明專利]光電轉(zhuǎn)換設(shè)備、成像系統(tǒng)、及光電轉(zhuǎn)換設(shè)備的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710544402.1
• 申請(qǐng)日: 2017-07-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107591418B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 碓井崇;鳥(niǎo)居慶大;大貫裕介;稻秀樹(shù)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佳能株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/14
• 分類號(hào): H01L27/14;H01L27/144;H01L27/146
• 代理公司: 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038
• 代理人: 周博俊

1.一種光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，其特征在于，包括：

光電轉(zhuǎn)換單元，被設(shè)置在基板中；

波導(dǎo)構(gòu)件，被設(shè)置在光電轉(zhuǎn)換單元的上方；以及

絕緣構(gòu)件，被設(shè)置在基板的上方，并且包圍波導(dǎo)構(gòu)件的至少一部分，

其中波導(dǎo)構(gòu)件具有從基板按以下順序布置的第一側(cè)面、第二側(cè)面和第三側(cè)面，

其中第一側(cè)面、第二側(cè)面和第三側(cè)面中的每個(gè)都是傾斜的，

其中第二側(cè)面和第三側(cè)面連續(xù)連接，

其中第二側(cè)面的傾斜角小于90度，

其中第一側(cè)面的傾斜角小于第二側(cè)面的傾斜角，以及

其中第三側(cè)面的傾斜角小于第二側(cè)面的傾斜角,

其中絕緣構(gòu)件包括與第一側(cè)面接觸的第一絕緣膜、與第二側(cè)面接觸的第二絕緣膜、和與第三側(cè)面接觸的第三絕緣膜，

以及其中第二絕緣膜的成分與第一絕緣膜的成分不同，并且與第三絕緣膜的成分不同。

2.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，還包括：

布線，被設(shè)置在基板的上方，

以及其中第二絕緣膜被設(shè)置成與布線的上表面接觸。

3.如權(quán)利要求2所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，

其中第一絕緣膜比第二絕緣膜厚，以及

其中第三絕緣膜比第二絕緣膜厚。

4.如權(quán)利要求3所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，

其中布線包括金屬，以及

其中第二絕緣膜中的金屬的擴(kuò)散系數(shù)分別小于第一絕緣膜中的金屬的擴(kuò)散系數(shù)和第三絕緣膜中的金屬的擴(kuò)散系數(shù)。

5.如權(quán)利要求4所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，

其中第一絕緣膜的成分包含硅和氧，

其中第二絕緣膜的成分包含硅和選自碳和氮的至少一種元素，以及

其中第三絕緣膜的成分包含硅和氧。

6.如權(quán)利要求5所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，

其中波導(dǎo)構(gòu)件覆蓋布線的至少一部分。

7.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，還包括：

多個(gè)像素，

其中所述多個(gè)像素中的每個(gè)像素包括：光電轉(zhuǎn)換單元，被配置為接收在光電轉(zhuǎn)換單元處生成的電荷的浮置擴(kuò)散部分，連接到浮置擴(kuò)散部分的放大單元，以及被配置為在與光電轉(zhuǎn)換單元和浮置擴(kuò)散部分不同的部分處保持電荷的電荷保持部分。

8.如權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，

其中波導(dǎo)構(gòu)件覆蓋電荷保持部分的至少一部分。

9.如權(quán)利要求7所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，還包括：

遮光部分，被配置為覆蓋電荷保持部分，

其中波導(dǎo)構(gòu)件至少部分地覆蓋遮光部分。

10.如權(quán)利要求9所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，

其中波導(dǎo)構(gòu)件覆蓋遮光部分的一部分，遮光部分的所述部分覆蓋電荷保持部分。

11.如權(quán)利要求9所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，

其中從基板到遮光部分的上表面的第一距離比從基板到第一側(cè)面與第二側(cè)面之間的邊界的距離短。

12.如權(quán)利要求11所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，還包括：

布線，被設(shè)置在基板的上方并連接到浮置擴(kuò)散部分，

其中第一距離比從基板到布線的第三距離短。

13.如權(quán)利要求12所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，

其中第二距離比第三距離長(zhǎng)。

14.如權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換設(shè)備，

其中絕緣構(gòu)件包括與第一側(cè)面接觸的第一絕緣膜、與第二側(cè)面接觸的第二絕緣膜、以及與第三側(cè)面接觸的第三絕緣膜，以及

其中第二絕緣膜被設(shè)置成與所述布線的上表面接觸。