[發(fā)明專利]篩除閃存單元中早期失效的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710543541.2
• 申請(qǐng)日: 2017-07-05
• 公開（公告）號(hào): CN107331419A
• 公開（公告）日: 2017-11-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): G11C29/04
• 分類號(hào): G11C29/04;G11C29/50
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237
• 代理人: 屈蘅

1.一種篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，

在進(jìn)行篩除閃存單元中早期失效的過程中，將隧穿氧化層處的電壓差控制在4V～10V，將氧化層處的電壓差控制在4V～8V。

2.如權(quán)利要求1所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，在進(jìn)行篩除閃存單元中早期失效的過程中，在所述閃存單元中的字線處施加第一電壓，同時(shí)，在所述閃存單元中的控制柵處施加第二電壓；所述字線處施加的第一電壓和所述控制柵處施加的第二電壓之間電壓差的范圍為15V～20V。

3.如權(quán)利要求2所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述字線處施加的第一電壓是正電壓。

4.如權(quán)利要求4所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述字線處施加的第一電壓范圍為4V～8V。

5.如權(quán)利要求5所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述字線處施加的第一電壓為8V。

6.如權(quán)利要求2所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述控制柵處施加的第二電壓是負(fù)電壓。

7.如權(quán)利要求7所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述控制柵處施加的第二電壓范圍為-9V～-7V。

8.如權(quán)利要求8所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述控制柵處施加的第二電壓為-9V。

9.如權(quán)利要求2所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述字線處施加的第一電壓和所述控制柵處施加的第二電壓時(shí)間范圍均為7秒～9秒。

10.如權(quán)利要求7所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述字線處施加的第一電壓和所述控制柵處施加的第二電壓時(shí)間均為8秒。

11.如權(quán)利要求1所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述閃存單元包括襯底以及形成在所述襯底表面上的字線和控制柵。

12.如權(quán)利要求1所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述隧穿氧化層位于字線和控制柵之間。

13.如權(quán)利要求1所述的篩除閃存單元中早期失效的方法，其特征在于，所述氧化層位于字線和襯底之間。