[發(fā)明專利]包括多種類型的薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710543412.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107591410B | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李錫宇;趙圣弼 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;譚天 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 多種 類型 薄膜晶體管 有機(jī) 發(fā)光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本公開涉及包括多種類型的薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板上的驅(qū)動(dòng)TFT、基板上的開關(guān)TFT以及有機(jī)發(fā)光二極管。驅(qū)動(dòng)TFT包括由多晶硅形成的第一有源層和層間絕緣層的在第一有源層上的至少第一部分。層間絕緣層由包含氫的第一材料形成。開關(guān)TFT包括第二有源層、層間絕緣層的在第一有源層與第二有源層之間的至少第二部分以及柵極絕緣層的在層間絕緣層的第二部分與第二有源層之間的至少一部分。柵極絕緣層由第二材料形成,第二材料與第一材料不同并且阻擋氫從層間絕緣層擴(kuò)散到第二有源層。
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于2016年7月6日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0085783號(hào)、2016年10月31日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0143777號(hào)和2016年10月31日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10-2016-0143773號(hào)的優(yōu)先權(quán),其各自的公開內(nèi)容通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及包括多種類型的薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光顯示裝置和制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法,更具體地,涉及一種其中不同類型的薄膜晶體管設(shè)置在單個(gè)基板上的有機(jī)發(fā)光顯示裝置,和制造該有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)
近來,隨著世界發(fā)展到全面信息時(shí)代,用于視覺顯示電信息信號(hào)的顯示領(lǐng)域已經(jīng)迅速增長(zhǎng)。作為響應(yīng),已經(jīng)開發(fā)了在減薄、減輕重量和低功耗方面具有優(yōu)異性能的各種平面顯示裝置,并且這些平面顯示裝置迅速取代了本領(lǐng)域已經(jīng)使用的陰極射線管(CRT)顯示器。
平面顯示裝置的具體實(shí)例包括液晶顯示器(LCD)裝置、有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)裝置、電泳顯示器(EPD)裝置、等離子體顯示面板(PDP)裝置和電潤(rùn)濕顯示器(EWD)裝置等。特別地,與LCD裝置相比,作為具有自發(fā)光特性的下一代顯示裝置的OLED裝置在視角、對(duì)比度、響應(yīng)速度、功耗等方面具有優(yōu)異的特性。
OLED裝置包括顯示區(qū)域,在顯示區(qū)域中設(shè)置有用于顯示圖像的有機(jī)發(fā)光元件和用于驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光元件的像素電路。此外,OLED裝置包括與顯示區(qū)域相鄰并且設(shè)置有驅(qū)動(dòng)電路的非顯示區(qū)域。特別地,多個(gè)薄膜晶體管位于像素電路和驅(qū)動(dòng)電路中,以驅(qū)動(dòng)多個(gè)像素中的有機(jī)發(fā)光元件。
薄膜晶體管可以通過有源層的材料分類。特別地,通常使用低溫多晶硅(LTPS)薄膜晶體管和氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管。然而,目前,在OLED裝置中,在單個(gè)基板上使用LTPS薄膜晶體管或氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管作為構(gòu)成像素電路和驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管。然而,如果LTPS薄膜晶體管或氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管中的任意一者構(gòu)成像素電路和驅(qū)動(dòng)電路,則存在各種問題。因此,需要將不同類型的薄膜晶體管應(yīng)用于單個(gè)OLED裝置。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的發(fā)明人認(rèn)識(shí)到上述需求,并且研究了將不同類型的薄膜晶體管應(yīng)用于單個(gè)基板的技術(shù)。然后,本發(fā)明人發(fā)明了一種應(yīng)用LTPS薄膜晶體管和氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。然而,本公開的發(fā)明人認(rèn)識(shí)到通過將LTPS薄膜晶體管和氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管應(yīng)用于單個(gè)基板而引起的各種問題。
首先,包含在LTPS薄膜晶體管的層間絕緣層中并且用于LTPS薄膜晶體管的有源層的加氫處理的氫可以擴(kuò)散到氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的有源層中。因此,可以改變氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)。
此外,需要在有機(jī)發(fā)光元件上形成在OLED裝置中使用的封裝單元的無機(jī)膜,因此通過低溫工藝來形成該無機(jī)膜。然而,通過低溫工藝形成的無機(jī)膜含有相對(duì)大量的氫。這樣的氫擴(kuò)散到氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的有源層中,并且因此存在氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的閾值電壓(Vth)可能改變的問題。
此外,根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制造過程中LTPS薄膜晶體管的有源層的活化處理和加氫處理的時(shí)機(jī),大量的氫可以擴(kuò)散到氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的有源層中。
因此,本公開要實(shí)現(xiàn)的目的是提供一種用于解決上述問題的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的新結(jié)構(gòu)和一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的新方法。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





