[發明專利]包括多種類型的薄膜晶體管的有機發光顯示裝置及其制造方法有效
| 申請號: | 201710543412.3 | 申請日: | 2017-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN107591410B | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發明(設計)人: | 李錫宇;趙圣弼 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/32;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡勝有;譚天 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包括 多種 類型 薄膜晶體管 有機 發光 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
基板,所述基板形成為塑料層/無機膜/塑料層的三層結構,其中所述無機膜由硅氮化物形成;
在所述基板上的像素,所述像素包括:
在所述基板上的驅動薄膜晶體管,所述驅動薄膜晶體管包括:
由多晶硅形成的第一有源層,以及
層間絕緣層的在所述第一有源層上的至少第一部分,所述層間絕緣層由包含氫的第一材料形成;
在所述基板上的開關薄膜晶體管,所述開關薄膜晶體管包括:
第二有源層,
所述層間絕緣層的在所述第一有源層與所述第二有源層之間的至少第二部分,以及
柵極絕緣層的在所述層間絕緣層的所述第二部分與所述第二有源層之間的至少一部分,所述柵極絕緣層由第二材料形成,所述第二材料與所述第一材料不同并且阻擋氫從所述層間絕緣層擴散到所述第二有源層;以及
電連接至所述驅動薄膜晶體管的有機發光二極管;
其中所述第一材料包括硅氮化物,所述第二材料包括硅氧化物;
其中所述柵極絕緣層包括第一部分和第二部分,所述柵極絕緣層的所述第一部分比所述柵極絕緣層的所述第二部分更靠近所述第二有源層,所述柵極絕緣層的所述第一部分的密度高于所述柵極絕緣層的所述第二部分的密度;以及
所述有機發光顯示裝置還包括設置在所述第一有源層下方并且與所述第一有源層交疊的底部屏蔽金屬。
2.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述第二材料的氫含量小于所述第一材料的氫含量。
3.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述柵極絕緣層包括第一部分和第二部分,所述柵極絕緣層的所述第一部分比所述柵極絕緣層的所述第二部分更靠近所述第二有源層,所述柵極絕緣層的所述第一部分的氫含量小于所述柵極絕緣層的所述第二部分的氫含量。
4.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,還包括設置在所述驅動薄膜晶體管和所述開關薄膜晶體管上方的鈍化層,其中所述鈍化層的至少一部分接觸所述第二有源層。
5.根據權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中所述鈍化層包括第一部分和第二部分,所述鈍化層的所述第一部分比所述鈍化層的所述第二部分更靠近所述第二有源層,所述鈍化層的所述第一部分的氫含量小于所述鈍化層的所述第二部分的氫含量。
6.根據權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中所述鈍化層包括第一部分和第二部分,所述鈍化層的所述第一部分比所述鈍化層的所述第二部分更靠近所述第二有源層,所述鈍化層的所述第一部分的密度高于所述鈍化層的所述第二部分的密度。
7.根據權利要求4所述的有機發光顯示裝置,其中所述鈍化層包括:
包括硅氧化物的第一鈍化層;以及
第二鈍化層,其在所述第一鈍化層上并且由硅氧化物之外的不同材料形成,所述第一鈍化層比所述第二鈍化層更靠近所述第二有源層。
8.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,其中所述驅動薄膜晶體管包括第一柵電極,其中所述開關薄膜晶體管包括第二柵電極,其中所述第一柵電極和所述第二柵電極設置在相同的層上。
9.根據權利要求1所述的有機發光顯示裝置,還包括在所述基板上的存儲電容器,所述存儲電容器包括:
與所述第一有源層設置在相同的層上的第一電容器電極;以及
在所述第一電容器電極上的第二電容器電極。
10.根據權利要求9所述的有機發光顯示裝置,其中所述開關薄膜晶體管包括在所述基板上的柵電極,以及其中所述第二電容器電極與所述開關薄膜晶體管的所述柵電極設置在相同的層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





