[發明專利]半導體封裝件及其形成方法

在審

• 申請號: 201710543411.9
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN107689333A
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發明（設計）人: 余振華;郭宏瑞;蔡惠榕
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/482
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,李偉

1.一種形成半導體封裝件的方法，包括：

在晶種層上方形成圖案化的第一光刻膠，其中，所述圖案化的第一光刻膠中的第一開口暴露所述晶種層；

在所述第一開口中且在所述晶種層上鍍第一導電材料；

去除所述圖案化的第一光刻膠；

在去除所述圖案化的第一光刻膠之后，在所述第一導電材料的側壁上方且沿著所述第一導電材料的所述側壁形成圖案化的第二光刻膠，其中，所述圖案化的第二光刻膠的第二開口暴露所述第一導電材料的部分；

在所述第二開口中且在所述第一導電材料上鍍第二導電材料；

去除所述圖案化的第二光刻膠；

在去除所述圖案化的第二光刻膠之后，去除所述晶種層的暴露部分；以及

在所述第一導電材料和所述第二導電材料周圍沉積介電層。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括平坦化所述介電層，使得所述介電層的頂面與所述第二導電材料的頂面齊平。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述圖案化的第二光刻膠的光敏材料設置在所述第二導電材料的底面和所述晶種層之間。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第二開口還暴露所述晶種層的部分。

5.根據權利要求1所述的方法，還包括在集成電路管芯上方且在密封所述集成電路管芯的密封劑上沉積所述晶種層。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在載體襯底上方沉積所述晶種層；以及

在沉積所述晶種層之后，使用翻轉芯片接合工藝接合位于所述介電層上方的集成電路管芯。

7.根據權利要求6所述的方法，還包括密封所述集成電路管芯，其中，密封所述集成電路管芯包括在所述集成電路管芯的底面和所述介電層之間分配密封劑。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，所述介電層包括光敏聚合物，并且其中，所述圖案化的第二光刻膠比所述光敏聚合物支持更高分辨率的光刻工藝。

9.一種形成半導體封裝件的方法，包括：

將集成電路管芯密封在密封劑中；

在所述密封劑和所述集成電路管芯上方沉積第一光刻膠；

在所述第一光刻膠中圖案化第一開口以暴露第一導電材料；

在所述第一開口中鍍導電通孔，其中，所述導電通孔電連接至所述集成電路管芯；

去除所述第一光刻膠；

在所述導電通孔周圍沉積第一聚合物層，其中，所述第一聚合物層和所述第一光刻膠包括不同的材料；以及

平坦化所述第一聚合物層，使得所述第一聚合物層和所述導電通孔的頂面齊平。

10.一種半導體封裝件，包括：

集成電路管芯；

密封劑，設置在所述集成電路管芯周圍；

貫通孔，延伸穿過所述密封劑；以及

再分布結構，位于所述集成電路管芯和所述密封劑上方，其中，所述再分布結構的金屬化圖案包括：

導線，設置在介電層中并且電連接至所述集成電路管芯，其中，所述介電層接觸所述密封劑的頂面；以及

導電通孔，位于所述導線上方且電連接至所述導線，其中，所述導電通孔的頂面與所述介電層的頂面齊平。