[發明專利]一種QLED器件的制備方法

在審

• 申請號: 201710542313.3
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN109216568A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發明（設計）人: 王宇;曹蔚然;錢磊
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

本發明公開一種QLED器件的制備方法。通過對量子點發光層進行高壓處理，使其形成致密的薄膜，所述納米材料在高壓作用下產生一定的結晶化作用，繼而提高量子點發光層的載流子傳輸速率。進一步的，通過對功能傳輸層進行高壓處理，使QLED器件中的各功能層之間，功能傳輸層與量子點發光層之間結合的更緊密，減少了界面之間的缺陷，降低了非輻射復合，進一步的提高了載流子的注入效率和復合發光的效率。

技術領域

本發明涉及量子點技術領域，尤其涉及一種QLED器件的制備方法。

背景技術

半導體量子點（Quantum dot, QDs）具有熒光量子效率高、可見光波段發光可調、色域覆蓋度寬廣等特點。以量子點為發光材料的發光二極管被稱為量子點發光二極管（Quantum dot light-emitting diode, QLED），具有色彩飽和、能效更高、色溫更佳、壽命長等優點，有望成為下一代固態照明和平板顯示的主流技術。

為了提高QLED器件的效率和性能，研究者對QLED器件結構做了各個方面的研究，尤其是對量子點發光層材料的研究。現有技術主要是通過化學的方法對QLED器件發光層材料進行修飾以提高器件的效率，主要圍繞量子點的合成和量子點表面配體修飾兩方面。其中，常用的修飾方法是對量子點的表面進行配體交換，將其表面的長鏈配體替換成短鏈配體，減少量子點之間的距離，可以提高載流子的注入效率，從而提高QLED器件的發光效率。

然而，在器件制備過程中，采用物理的方法對QLED器件的功能層進行修飾，以提高器件薄膜質量和載流子傳輸效率的研究卻鮮有報道。

因此，現有技術還有待于改進和發展。

發明內容

鑒于上述現有技術的不足，本發明的目的在于提供一種QLED器件的制備方法，通過在器件制備過程中對量子點發光層、功能傳輸層進行物理修飾，旨在通過物理方法實現QLED器件薄膜質量和載流子傳輸效率的提高。

本發明的技術方案如下：

一種QLED器件的制備方法，其中，包括當量子點發光層完成沉積后，在惰性環境下，對所述量子點發光層進行高壓處理的步驟。

進一步的，所述的QLED器件的制備方法，其中，還包括當功能傳輸層完成沉積后，在惰性環境下，對所述功能傳輸層進行高壓處理的步驟。更進一步的，所述的QLED器件的制備方法，其中，所述功能傳輸層為空穴傳輸層和/或電子傳輸層。

進一步的，所述的QLED器件的制備方法，其中，對量子點發光層、功能傳輸層進行高壓處理的壓力為1MPa-10MPa，時間為5min-120min。

在其中一種實施方式中，所述的QLED器件的制備方法，其中，所述高壓處理的過程包括：S10、當量子點發光層或功能傳輸層在器件上完成沉積后，將器件固定在一高壓處理裝置的密閉容器中，高壓處理裝置還包括進氣閥和出氣閥，通過打開進氣閥和出氣閥，將惰性氣體通入密閉容器并將密閉容器內的空氣清除；S20、關閉出氣閥，繼續通入惰性氣體直至密閉容器內的壓力達到預定壓力，高壓處理預定時間。進一步的，所述步驟S20完成后，還包括步驟S30：打開出氣閥，控制進氣閥和出氣閥的壓力，使密閉容器形成流動的惰性氣體，清除器件表面吸附的惰性氣體。所述惰性氣體為氮氣、氦氣、氖氣或氬氣中的一種。

進一步的，所述的QLED器件的制備方法，其中，所述量子點發光層包括紅光量子點發光層、綠光量子點發光層、藍光量子點發光層、黃光量子點發光層、紅外量子點發光層或紫外量子點發光層中的至少一種。

進一步的，所述的QLED器件的制備方法，其中，還包括對量子點發光層或功能傳輸層進行高壓處理后，進行退火處理的步驟。

進一步的，所述的QLED器件的制備方法，其中，所述量子點發光層經高壓處理后，退火處理的退火溫度為60℃-80℃，時間為10-30min。