[發(fā)明專利]一種QLED器件的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201710542313.3
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN109216568A
• 公開（公告）日: 2019-01-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王宇;曹蔚然;錢磊
• 申請（專利權(quán)）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種QLED器件的制備方法，其特征在于，包括當(dāng)量子點發(fā)光層完成沉積后，在惰性環(huán)境下，對所述量子點發(fā)光層進行高壓處理的步驟。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，還包括當(dāng)功能傳輸層完成沉積后，在惰性環(huán)境下，對所述功能傳輸層進行高壓處理的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的QLED 器件的制備方法，其特征在于，所述功能傳輸層為空穴傳輸層和/或電子傳輸層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述高壓處理的壓力為1-10MPa，時間為5-120min。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述高壓處理的過程包括如下步驟：

（1）當(dāng)量子點發(fā)光層或功能傳輸層在器件上完成沉積后，將器件固定在一高壓處理裝置的密閉容器中，高壓處理裝置還包括進氣閥和出氣閥，通過打開進氣閥和出氣閥，將惰性氣體通入密閉容器并將密閉容器內(nèi)的空氣清除；

（2）關(guān)閉出氣閥，繼續(xù)通入惰性氣體直至密閉容器內(nèi)的壓力達到預(yù)定壓力，高壓處理預(yù)定時間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）完成后，打開出氣閥，并調(diào)節(jié)進氣閥和出氣閥壓力，使密閉容器形成流動的惰性氣體，清除器件表面吸附的惰性氣體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任意一項所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，還包括所述量子點發(fā)光層或功能傳輸層經(jīng)高壓處理后，進行退火處理的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的QLED 器件的制備方法，其特征在于，所述量子點發(fā)光層經(jīng)高壓處理后，退火處理的退火溫度為60℃-80℃，時間為10 min-30min。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的QLED器件的制備方法，其特征在于，所述功能傳輸層經(jīng)高壓處理后，退火處理的退火溫度為120℃-180℃，時間為10 min-30min。

10.一種QLED器件，其特征在于，由權(quán)利要求1至9任意一項所述制備方法制備得到。