[發(fā)明專(zhuān)利]垂直型存儲(chǔ)器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710541567.3
• 申請(qǐng)日: 2017-07-05
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107689392B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-01-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 南泌旭;金成吉;崔至薰;S.金;安宰永;金泓奭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/10
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/10;H01L29/423;H01L29/792
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

一種垂直型存儲(chǔ)器件可以包括：在襯底上垂直地延伸的溝道層；在襯底上在溝道層的一側(cè)的地選擇晶體管，地選擇晶體管包括第一柵絕緣部分和第一替代柵電極；在第一替代柵電極上的蝕刻控制層；以及在蝕刻控制層上的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元包括第二柵絕緣部分和第二替代柵電極。蝕刻控制層可以包括用碳、N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)摻雜的多晶硅層，或者可以包括包含碳、N型雜質(zhì)或P型雜質(zhì)的多晶硅氧化物層。第一替代柵電極的厚度可以與第二替代柵電極的厚度相同，或者第一替代柵電極可以比第二替代柵電極更厚。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開(kāi)涉及存儲(chǔ)器件，且更具體地，涉及垂直型存儲(chǔ)器件。

背景技術(shù)

電子產(chǎn)品在尺寸上正逐漸減小，但仍被期望執(zhí)行高容量數(shù)據(jù)處理。因此，期望增加這樣的電子產(chǎn)品中使用的存儲(chǔ)器件的集成度。已經(jīng)提出了提高存儲(chǔ)器件的集成度的一種可行方法，在該方法中使用了具有垂直晶體管結(jié)構(gòu)而非平面晶體管結(jié)構(gòu)的垂直型存儲(chǔ)器件。

發(fā)明內(nèi)容

本公開(kāi)可以提供一種可以更可靠且更易制造的垂直型存儲(chǔ)器件。

根據(jù)本公開(kāi)的一方面，提供一種垂直型存儲(chǔ)器件，其包括：在襯底上垂直地延伸的溝道層；在襯底上在溝道層的一側(cè)的地選擇晶體管，地選擇晶體管包括第一柵絕緣部分和第一替代柵電極；在第一替代柵電極上的蝕刻控制層；以及在蝕刻控制層上的存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)單元包括第二柵絕緣部分和第二替代柵電極。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，提供一種垂直型存儲(chǔ)器件，其包括：在襯底上垂直地延伸的溝道層；在溝道層的一側(cè)的柵絕緣層，柵絕緣層在襯底上垂直地延伸；在柵絕緣層的一側(cè)的蝕刻控制層，蝕刻控制層相對(duì)于襯底水平地延伸并且相對(duì)于襯底由第一開(kāi)口垂直地分開(kāi)；在蝕刻控制層下方的第一開(kāi)口中的第一替代柵電極；多個(gè)層間絕緣層，相對(duì)于襯底垂直地堆疊在蝕刻控制層上并由于多個(gè)第二開(kāi)口而彼此分開(kāi)；以及在所述多個(gè)第二開(kāi)口的每個(gè)中的第二替代柵電極。

根據(jù)本公開(kāi)的另一方面，提供一種垂直型存儲(chǔ)器件。該垂直型存儲(chǔ)器件可以包括在襯底上垂直地延伸的溝道層以及在襯底上的墊絕緣材料層。蝕刻控制層可以在墊絕緣材料層上方。該垂直型存儲(chǔ)器件可以包括在溝道層的一側(cè)的柵絕緣層，柵絕緣層可以在蝕刻控制層的壁上垂直地延伸并水平地延伸到蝕刻控制層與墊絕緣材料層之間的凹陷中。該垂直型存儲(chǔ)器件可以包括在蝕刻控制層與墊絕緣材料層之間的柵絕緣層的壁上的第一替代柵電極。

附圖說(shuō)明

本公開(kāi)的方面將從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中被更清楚地理解，附圖中：

圖1是用于描述根據(jù)本公開(kāi)的方面的垂直型存儲(chǔ)器件的電路圖；

圖2A和2B是根據(jù)本公開(kāi)的方面的垂直型存儲(chǔ)器件的主要部分的剖面圖；

圖3A和3B是根據(jù)本公開(kāi)的方面的垂直型存儲(chǔ)器件的主要部分的剖面圖；

圖4至19是用于描述根據(jù)本公開(kāi)的方面的垂直型存儲(chǔ)器件及其制造方法的圖；

圖20和21是用于描述根據(jù)本公開(kāi)的方面的垂直型存儲(chǔ)器件及其制造方法的剖面圖；

圖22是用于描述根據(jù)本公開(kāi)的方面的垂直型存儲(chǔ)器件及其制造方法的剖面圖；

圖23是用于描述根據(jù)本公開(kāi)的方面的垂直型存儲(chǔ)器件及其制造方法的剖面圖；以及

圖24是用于描述根據(jù)本公開(kāi)的方面的垂直型存儲(chǔ)器件的示意框圖。

具體實(shí)施方式

在下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本公開(kāi)的示例性實(shí)施方式。在此使用的單數(shù)形式“一”和“該”也旨在包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另有所指。

圖1是用于描述根據(jù)本公開(kāi)的方面的垂直型存儲(chǔ)器件1100的電路圖。