[發明專利]垂直型存儲器件

有效

• 申請號: 201710541567.3
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN107689392B
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 南泌旭;金成吉;崔至薰;S.金;安宰永;金泓奭
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L29/423;H01L29/792
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種垂直型存儲器件，包括：

溝道層，在襯底上垂直地延伸；

地選擇晶體管，在所述襯底上在所述溝道層的一側，所述地選擇晶體管包括第一柵絕緣部分和第一替代柵電極；

蝕刻控制層，在所述第一替代柵電極上并且相對于所述襯底水平地延伸；以及

存儲單元，在所述蝕刻控制層上，所述存儲單元包括第二柵絕緣部分和第二替代柵電極。

2.如權利要求1所述的垂直型存儲器件，其中所述蝕刻控制層包括用碳、N型雜質或P型雜質摻雜的多晶硅層。

3.如權利要求1所述的垂直型存儲器件，其中所述蝕刻控制層包括包含碳、N型雜質或P型雜質的多晶硅氧化物層。

4.如權利要求1所述的垂直型存儲器件，其中所述第一替代柵電極的厚度與所述第二替代柵電極的厚度相同。

5.如權利要求1所述的垂直型存儲器件，其中在所述第一替代柵電極中的凹陷側槽在所述蝕刻控制層下方，并且所述第一柵絕緣部分在所述凹陷側槽中。

6.如權利要求1所述的垂直型存儲器件，其中所述第一替代柵電極的厚度大于所述第二替代柵電極的厚度。

7.如權利要求6所述的垂直型存儲器件，其中在所述第一替代柵電極中的凹陷側槽在所述蝕刻控制層下方，并且所述溝道層和所述第一柵絕緣部分在所述凹陷側槽中。

8.如權利要求1所述的垂直型存儲器件，其中所述第一替代柵電極與所述第一柵絕緣部分的橫向延伸部分的側壁相鄰。

9.如權利要求1所述的垂直型存儲器件，其中所述溝道層具有用填充絕緣層填充的內部開口部分。

10.如權利要求1所述的垂直型存儲器件，其中所述襯底包括凹陷，并且其中所述溝道層垂直地延伸到所述凹陷中并接觸所述襯底。

11.一種垂直型存儲器件，包括：

溝道層，在襯底上垂直地延伸；

柵絕緣層，在所述溝道層的一側，所述柵絕緣層在所述襯底上垂直地延伸；

蝕刻控制層，在所述柵絕緣層的一側，所述蝕刻控制層相對于所述襯底水平地延伸并通過第一開口相對于所述襯底垂直地分開；

第一替代柵電極，在所述蝕刻控制層下方的所述第一開口中；

多個層間絕緣層，所述多個層間絕緣層相對于所述襯底垂直地堆疊在所述蝕刻控制層上并且由于多個第二開口而彼此分開；以及

第二替代柵電極，在所述多個第二開口的每個中。

12.如權利要求11所述的垂直型存儲器件，其中所述蝕刻控制層包括多晶硅氧化物層或用雜質摻雜的多晶硅層。

13.如權利要求11所述的垂直型存儲器件，其中所述第一替代柵電極的厚度與所述第二替代柵電極的厚度相同。

14.如權利要求11所述的垂直型存儲器件，其中面對所述溝道層的凹陷側槽在所述蝕刻控制層下方，并且所述柵絕緣層在所述凹陷側槽中。

15.如權利要求11所述的垂直型存儲器件，其中所述第一替代柵電極的厚度大于所述第二替代柵電極的厚度，面對所述溝道層的凹陷側槽在所述蝕刻控制層下方，并且所述溝道層和所述柵絕緣層在所述凹陷側槽中。

16.一種垂直型存儲器件，包括：

在襯底上垂直地延伸的溝道層；

在所述襯底上的墊絕緣材料層；

在所述墊絕緣材料層上方的蝕刻控制層；

在所述溝道層的一側的柵絕緣層，所述柵絕緣層在所述蝕刻控制層的壁上垂直地延伸并水平地延伸到所述蝕刻控制層與所述墊絕緣材料層之間的凹陷中；以及

第一替代柵電極，在所述蝕刻控制層與所述墊絕緣材料層之間的所述柵絕緣層的壁上。