[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710541530.0
• 申請(qǐng)日: 2013-09-02
• 公開（公告）號(hào): CN107195602A
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭斌宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/13;H01L21/56
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 駱希聰

本申請(qǐng)是2013年9月2日申請(qǐng)的，申請(qǐng)?zhí)枮?01310392415.3，發(fā)明名稱為“半導(dǎo)體封裝件及其制造方法”的中國(guó)發(fā)明專利申請(qǐng)的分案申請(qǐng)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種可降低翹曲量的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)半導(dǎo)體基板由于愈來(lái)愈薄，且半導(dǎo)體基板雙側(cè)的結(jié)構(gòu)不對(duì)稱，因此容易產(chǎn)生翹曲。當(dāng)半導(dǎo)體基板的翹曲量愈大，在后續(xù)的芯片設(shè)置于其上的工藝中，容易產(chǎn)生例如是芯片與基板接合不良等問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，可降低半導(dǎo)體封裝件的翹曲量。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提出一種半導(dǎo)體封裝件，包括：一基板，具有多個(gè)分割道，該多個(gè)分割道貫穿該基板；一芯片，設(shè)于該基板上；以及一底膠，形成于該芯片與該基板之間；其中，該基板具有一重布線路層；該多個(gè)分割道橫向地經(jīng)過(guò)該重布線路層，但未分割該重布線路層。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，提出一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括：設(shè)置一基板于一載板上；形成多個(gè)分割道貫穿該基板；設(shè)置一芯片于該基板上；形成一底膠于該芯片與該基板之間；以及移除該載板；其中，該基板具有一重布線路層；且該多個(gè)分割道橫向地經(jīng)過(guò)該重布線路層，但未分割該重布線路層。

為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下：

附圖說(shuō)明

圖1A繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。圖1B繪示圖1A的俯視圖。

圖2A繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。圖2B繪示圖2A的俯視圖。

圖3A至3F繪示圖1A的半導(dǎo)體封裝件的制造過(guò)程圖。

圖4繪示圖1B的半導(dǎo)體封裝件的另一種制造過(guò)程圖。

圖5A至5B繪示圖2A的半導(dǎo)體封裝件的制造過(guò)程圖。

符號(hào)說(shuō)明：

100、200：半導(dǎo)體封裝件

10：載板

11：黏貼層

12：圖案化光阻層

12a、1143a：開孔

110：基板

110r、110r’、110r”：分割道

110s：邊緣側(cè)面

110s1：第一邊緣側(cè)面

110s2：第二邊緣側(cè)面

111：子基板

110b、112b：下表面

110u、112u：上表面

110a、1131a：開孔

112：基材

113、113’、113”：導(dǎo)電孔

1131：內(nèi)導(dǎo)電機(jī)制

1132：外介電層

1133：導(dǎo)通層

114：第一線路層

1141；1151：第一介電層

1142：第一重布線路層

1143、1153：第二介電層

115：第二線路層

1152：第二重布線路層

116、121：電性接點(diǎn)

120：芯片

130：底膠

D1：側(cè)向

P：切割道

W1：寬度

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參照?qǐng)D1A，其繪示依照本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的剖視圖。半導(dǎo)體封裝件100包括基板110，芯片120及底膠130。

基板110例如是芯片或中介層基板。基板110包括至少一子基板111、基材112、導(dǎo)電孔113、第一線路層114、第二線路層115、至少一電性接點(diǎn)116、分割道110r、上表面110u及邊緣側(cè)面110s(110s1、110s2)。

子基板111是由分割道110r分離基板110而成，分割道110r從基板110的上表面110u延伸至基板110的下表面110b而貫穿基板110，分割道110r從基板110的下表面110b露出。

基材112例如是玻璃、硅(silicon)、金屬、金屬合金、聚合物(polymer)或另一適當(dāng)結(jié)構(gòu)材料所形成材料。基材112具有相對(duì)的上表面112u與下表面112b。

導(dǎo)電孔113從上表面112u貫穿基材112，并電性連接第一重布線路層1142與第二重布線路層1152。在一實(shí)施例中，導(dǎo)電孔113可從基材112的上表面112u及下表面112b露出。在另一實(shí)施例中，導(dǎo)電孔113亦可突出超過(guò)基材112的上表面112u及/或下表面112b。