[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710541530.0 | 申請日： | 2013-09-02 |
| 公開（公告）號： | CN107195602A | 公開（公告）日： | 2017-09-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭斌宏 | 申請（專利權(quán)）人： | 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/13;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司31100 | 代理人： | 駱希聰 |
| 地址： | 中國臺灣高雄市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括：
一基板，具有多個分割道，該多個分割道貫穿該基板；
一芯片，設(shè)于該基板上；以及
一底膠，形成于該芯片與該基板之間；
其中，該基板具有一重布線路層；該多個分割道橫向地經(jīng)過該重布線路層，但未分割該重布線路層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板具有數(shù)個導(dǎo)電孔，該芯片透過該重布線路層電性連接該些導(dǎo)電孔。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該些個分割道使該基板形成數(shù)個彼此分離的子基板，且該重布線路層連接相鄰的該些子基板。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板包括：
一基材，具有一上表面及一下表面；
一第一介電層，形成于該基材的該下表面，并露出該基板的一導(dǎo)電孔；
一重布線路層，形成于露出的該導(dǎo)電孔；以及
一第二介電層，形成于該重布線路層上并露出的該重布線路層的一部分。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該基板更包括：
一第一介電層，形成于該基材的該上表面，并露出該基板的該導(dǎo)電孔；
一重布線路層，形成于露出的該導(dǎo)電孔；以及
一第二介電層，形成于該重布線路層上并露出的該重布線路層的一部分。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該底膠部分形成于該多個分割道。
7.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，包括：
設(shè)置一基板于一載板上；
形成多個分割道貫穿該基板；
設(shè)置一芯片于該基板上；
形成一底膠于該芯片與該基板之間；以及
移除該載板；
其中，該基板具有一重布線路層；且該多個分割道橫向地經(jīng)過該重布線路層，但未分割該重布線路層。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，該底膠部分形成于該多個分割道。
9.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，于設(shè)置該基板于該載板的步驟中，該基板具有數(shù)個導(dǎo)電孔；于形成該多個分割道的步驟中，該多個分割道橫向地繞過該些導(dǎo)電孔；于設(shè)置該芯片于該基板的步驟中，該芯片電性連接該些導(dǎo)電孔。
10.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，一第一介電層形成于該基板的一表面，并露出該基板的一導(dǎo)電孔；
該重布線路層形成于露出的該導(dǎo)電孔；以及
一第二介電層形成于該重布線路層上并露出的該重布線路層的一部分。
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