[發明專利]薄膜晶體管和包括該薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列面板

有效

• 申請號: 201710541480.6
• 申請日: 2017-07-05
• 公開（公告）號: CN107579111B
• 公開（公告）日: 2022-06-03
• 發明（設計）人: 金成虎;申旼澈
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L29/43
• 分類號: H01L29/43;H01L29/51;H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;韓明花

提供了一種薄膜晶體管和包括該薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列面板。所述薄膜晶體管包括半導體層、柵電極和絕緣層。半導體層包括源電極、漏電極以及設置在源電極和漏電極之間的溝道部。柵電極設置在溝道部上，并且沿與半導體層的溝道長度方向交叉的方向延伸。絕緣層包括設置在柵電極和溝道部之間的第一區域以及連接到第一區域且從第一區域沿與柵電極的延伸方向相同的方向延伸的第二區域。源電極或漏電極的氫含量在比絕緣層的第二區域的氫含量大大約10％的最大氫含量與比絕緣層的第二區域的氫含量小大約10％的最小氫含量之間的范圍內。

本申請要求于2016年7月5日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0084909號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

本發明的示例性實施例涉及一種薄膜晶體管，更具體地，涉及一種包括該薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列面板及其制造方法。

背景技術

薄膜晶體管(TFT)用在諸如平板顯示器的各種電子裝置中。例如，薄膜晶體管可以用作平板顯示器中的開關元件或驅動元件。平板顯示器可以是液晶顯示器(LCD)、有機發光二極管(OLED)顯示器或電泳顯示器。

薄膜晶體管可以包括柵電極、源電極、漏電極和半導體。柵電極可以連接到傳輸掃描信號的柵極線。源電極可以與傳輸施加到像素電極的信號的數據線連接。漏電極可以面對源電極。半導體可以電連接到源電極和漏電極中的每個。

半導體可以決定薄膜晶體管的特性。半導體可以包括硅(Si)?？梢愿鶕Y晶類型將硅劃分為非晶硅和多晶硅。非晶硅可以具有相對簡單的制造工藝。然而，非晶硅具有相對低的電荷遷移率，使得在制造高性能的薄膜晶體管方面存在限制。多晶硅具有相對高的電荷遷移率。然而，需要使硅結晶的工藝。因此，多晶硅的制造成本增加且工藝相對復雜。

已經開始進行對使用氧化物半導體的薄膜晶體管的研究，其中，氧化物半導體具有比非晶硅的電子遷移率相對高的電子遷移率、相對高的ON/OFF比、比多晶硅的成本相對低的成本以及相對高的均勻性。

發明內容

本發明的一個或更多個示例性實施例提供了一種薄膜晶體管。薄膜晶體管包括半導體層、絕緣層和柵電極。半導體層包括源電極、漏電極和溝道部。溝道部設置在源電極和漏電極之間。柵電極設置在溝道部上。柵電極沿與半導體層的溝道長度方向交叉的方向延伸。絕緣層包括設置在柵電極和溝道部之間的第一區域。絕緣層還包括連接到第一區域且從第一區域沿與柵電極的延伸方向相同的方向延伸的第二區域。源電極或漏電極的氫含量在比絕緣層的第二區域的氫含量大大約10％的最大氫含量與比絕緣層的第二區域的氫含量小大約10％的最小氫含量之間的范圍內。

源電極和漏電極中的每個的氫含量可以大于溝道部的氫含量。源電極和漏電極中的每個的氫含量可以小于絕緣層的第二區域的氫含量。

絕緣層的第二區域的氫含量可以大于絕緣層的第一區域的氫含量。絕緣層的第二區域的氫含量可以小于源電極或漏電極的氫含量。

絕緣層和柵電極的延伸長度可以小于半導體層的延伸長度。

柵電極的第一端可以與絕緣層的第一區域接觸。柵極線可以連接到柵電極的第二端。

溝道部可以包圍源電極或漏電極。

溝道部可以具有圓形形狀或四邊形形狀。

本發明的一個或更多個示例性實施例提供了一種薄膜晶體管陣列面板。薄膜晶體管陣列面板包括絕緣基底、半導體層、柵電極和絕緣層。半導體層設置在絕緣基底上。半導體層包括源電極、漏電極和溝道部。溝道部設置在源電極和漏電極之間。柵電極設置在溝道部上。柵電極沿與半導體層的溝道長度方向交叉的方向延伸。絕緣層包括設置在柵電極和溝道部之間的第一區域。絕緣層還包括連接到第一區域且從第一區域沿與柵電極的延伸方向相同的方向延伸的第二區域。源電極或漏電極與絕緣層的第二區域的氫含量偏差小于大約10％。