[發(fā)明專利]薄膜晶體管和包括該薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710541480.6 | 申請(qǐng)日： | 2017-07-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN107579111B | 公開(kāi)（公告）日： | 2022-06-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金成虎;申旼澈 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/43 | 分類號(hào)： | H01L29/43;H01L29/51;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉燦強(qiáng);韓明花 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 薄膜晶體管 包括 陣列 面板 | ||
1.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括：
半導(dǎo)體層，包括源電極、漏電極以及設(shè)置在所述源電極和所述漏電極之間的溝道部；
柵電極，設(shè)置在所述溝道部上，并且沿與所述半導(dǎo)體層的溝道長(zhǎng)度方向交叉的方向延伸；以及
絕緣層，包括設(shè)置在所述柵電極和所述溝道部之間的第一區(qū)域以及連接到所述第一區(qū)域且從所述第一區(qū)域沿與所述柵電極的延伸方向相同的方向延伸的第二區(qū)域，
其中，所述源電極的氫含量或所述漏電極的氫含量在比所述絕緣層的所述第二區(qū)域的氫含量大10％的最大氫含量與比所述絕緣層的所述第二區(qū)域的氫含量小10％的最小氫含量之間的范圍內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，
所述源電極和所述漏電極中的每個(gè)的氫含量比所述溝道部的氫含量大且比所述絕緣層的所述第二區(qū)域的氫含量小。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，
所述絕緣層的所述第二區(qū)域的氫含量比所述絕緣層的所述第一區(qū)域的氫含量大且比所述源電極的氫含量或漏電極的氫含量小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，
所述絕緣層和所述柵電極的在與所述溝道長(zhǎng)度方向交叉的所述方向上的延伸長(zhǎng)度小于所述半導(dǎo)體層的在所述溝道長(zhǎng)度方向上的延伸長(zhǎng)度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管，其中，
所述柵電極的第一端與所述絕緣層的所述第一區(qū)域接觸，
柵極線連接到所述柵電極的第二端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其中，
所述溝道部包圍所述源電極或所述漏電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管，其中，
所述溝道部具有圓形形狀或四邊形形狀。
8.一種薄膜晶體管陣列面板，所述薄膜晶體管陣列面板包括：
絕緣基底；
半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述絕緣基底上，并且包括源電極、漏電極以及設(shè)置在所述源電極和所述漏電極之間的溝道部；
柵電極，設(shè)置在所述溝道部上，并且沿與所述半導(dǎo)體層的溝道長(zhǎng)度方向交叉的方向延伸；以及
絕緣層，包括設(shè)置在所述柵電極和所述溝道部之間的第一區(qū)域以及連接到所述第一區(qū)域且從所述第一區(qū)域沿與所述柵電極的延伸方向相同的方向延伸的第二區(qū)域，
其中，所述源電極或所述漏電極與所述絕緣層的所述第二區(qū)域的氫含量偏差小于10％。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，
所述源電極和所述漏電極中的每個(gè)的氫含量比所述溝道部的氫含量大且比所述絕緣層的所述第二區(qū)域的氫含量小。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，
所述絕緣層的所述第二區(qū)域的氫含量比所述絕緣層的所述第一區(qū)域的氫含量大且比所述源電極的氫含量或所述漏電極的氫含量小。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，
所述絕緣層和所述柵電極的在與所述溝道長(zhǎng)度方向交叉的所述方向上的延伸長(zhǎng)度小于所述半導(dǎo)體層的在所述溝道長(zhǎng)度方向上的延伸長(zhǎng)度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，
所述柵電極的第一端與所述絕緣層的所述第一區(qū)域接觸，
柵極線連接到所述柵電極的第二端。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，
所述溝道部包圍所述源電極或所述漏電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列面板，所述薄膜晶體管陣列面板還包括：
緩沖層，設(shè)置在所述絕緣基底和所述半導(dǎo)體層之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
