[發(fā)明專利]有機發(fā)光顯示設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710541304.2 | 申請日: | 2017-07-05 |
| 公開(公告)號: | CN107579095A | 公開(公告)日: | 2018-01-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 樸聲國;金敏佑;金雄植 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,宋志強 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發(fā)光 顯示 設備 | ||
相關申請的交叉引用
本申請要求于2016年7月5日在韓國知識產(chǎn)權局提交的韓國專利申請第10-2016-0085060號的優(yōu)先權,其公開內(nèi)容通過引用被整體合并于此。
技術領域
一個或多個實施例涉及有機發(fā)光顯示設備,并且更具體而言,涉及具有改善的光效率的有機發(fā)光顯示設備。
背景技術
通常,有機發(fā)光顯示設備包括具有中間層的有機發(fā)光二極管(OLED),該中間層包括在兩個電極之間的發(fā)射層。在有機發(fā)光顯示設備中,通常期望從發(fā)射層產(chǎn)生的光被引向用戶。然而,由于從有機發(fā)光顯示設備的發(fā)射層產(chǎn)生的光通常在多個方向上行進,因此在用戶所處位置的正面方向上的亮度低。
發(fā)明內(nèi)容
一個或多個實施例包括具有改善的光效率的有機發(fā)光顯示設備。然而,該目的僅僅是示例性的,并且本發(fā)明構思的范圍不限于此。
附加方面將在下面的描述中被部分地闡述,并且部分地將是從描述中顯而易見的,或者可以通過實施所呈現(xiàn)的實施例來了解。
根據(jù)一個或多個實施例,有機發(fā)光顯示設備包括:多個像素電極,各自與至少第一像素、第二像素和第三像素中的一個對應;像素限定層,覆蓋像素電極中的每個像素電極的邊緣,并且暴露像素電極中的每個像素電極的中心部分;中間層,在像素電極之上,中間層包含發(fā)射層;對電極,在中間層之上;以及透鏡層,在對電極之上,透鏡層包括多個聚光透鏡,所述多個聚光透鏡各自具有圓形的下表面。與第一像素對應的像素電極的由像素限定層暴露的部分的面積是Ar;第一像素之上的聚光透鏡的下表面的面積是Br;并且比率Br/Ar的范圍從約1.34至約2.63。與第二像素對應的像素電極的由像素限定層暴露的部分的面積是Ag;第二像素之上的聚光透鏡的下表面的面積為Bg;并且比率Bg/Ag的范圍從約1.43至約3.00。與第三像素對應的像素電極的由像素限定層暴露的部分的面積是Ab;第三像素之上的聚光透鏡的下表面的面積為Bb;并且比率Bb/Ab的范圍從約1.30至約2.43。
當從發(fā)射層發(fā)射的光是紅色光時,Br/Ar可以為約1.62,當從發(fā)射層發(fā)射的光是綠色光時,Bg/Ag可以為約1.77,并且當從發(fā)射層發(fā)射的光是藍色光時,Bb/Ab可以為約1.55。
根據(jù)一個或多個實施例,有機發(fā)光顯示設備包括:多個像素電極,各自與至少紅色像素、綠色像素和藍色像素中的一個對應;像素限定層,覆蓋像素電極中的每個像素電極的邊緣,并且暴露像素電極中的每個像素電極的中心部分;中間層,在像素電極之上,中間層包括發(fā)射層;對電極,在中間層之上;以及透鏡層,在對電極之上,透鏡層包括多個聚光透鏡,所述多個聚光透鏡各自具有四邊形的下表面。與紅色像素對應的像素電極的由像素限定層暴露的部分的面積是Ar;紅色像素之上的聚光透鏡的下表面的面積是Br;并且比率Br/Ar的范圍從約1.71至約3.36。與綠色像素對應的像素電極的由像素限定層暴露的部分的面積是Ag;綠色像素之上的聚光透鏡的下表面的面積是Bg;并且比率Bg/Ag的范圍從約1.83至約3.82。與藍色像素對應的像素電極的由像素限定層暴露的部分的面積是Ab;藍色像素之上的聚光透鏡的下表面的面積是Bb;并且比率Bb/Ab的范圍從約1.66至約3.09。
比率Br/Ar可以為約2.07;比率Bg/Ag可以為約2.26;比率Bb/Ab可以為約1.98。
透鏡層可以包括第一透鏡層和在第一透鏡層與對電極之間的第二透鏡層,第二透鏡層具有比第一透鏡層的折射率小的折射率。
第二透鏡層可以包括在朝向對電極的方向上凹入的凹部,第一透鏡層可以填充凹部,并且聚光透鏡的下表面的面積可以是第二透鏡層的在朝第一透鏡層的方向的表面中凹部所占據(jù)的面積。
凹部可以具有第二透鏡層的未凹入部分的厚度的約2/5至約3/5的深度。
第二透鏡層可以包括光致抗蝕劑。
第二透鏡層可以包括丙烯酸酯。
第一透鏡層或第二透鏡層可以包括通過紫外線的照射而固化的材料。
第一透鏡層可以包括氧化鋯、氧化鋁和氧化鈦中的至少一種和硅氧烷。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





