[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710541304.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-07-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN107579095A | 公開(公告)日: | 2018-01-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 樸聲國;金敏佑;金雄植 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11018 | 代理人: | 康泉,宋志強(qiáng) |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光 顯示 設(shè)備 | ||
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,包括:
多個(gè)像素電極,各自與至少第一像素、第二像素和第三像素中的一個(gè)對(duì)應(yīng);
像素限定層,覆蓋所述多個(gè)像素電極中的每個(gè)像素電極的邊緣,并且暴露所述多個(gè)像素電極中的每個(gè)像素電極的中心部分;
中間層,在所述多個(gè)像素電極之上,所述中間層包含發(fā)射層;
對(duì)電極,在所述中間層之上;以及
透鏡層,在所述對(duì)電極之上,所述透鏡層包括多個(gè)聚光透鏡,所述多個(gè)聚光透鏡各自具有圓形的下表面,
其中與所述第一像素對(duì)應(yīng)的像素電極的由所述像素限定層暴露的所述部分的面積為Ar,所述第一像素之上的聚光透鏡的下表面的面積為Br,并且比率Br/Ar的范圍從1.34至2.63。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設(shè)備,其中
與所述第二像素對(duì)應(yīng)的像素電極的由所述像素限定層暴露的所述部分的面積為Ag,所述第二像素之上的聚光透鏡的下表面的面積為Bg,并且比率Bg/Ag的范圍從1.43至3.00。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設(shè)備,其中
與所述第三像素對(duì)應(yīng)的像素電極的由所述像素限定層暴露的所述部分的面積為Ab,所述第三像素之上的聚光透鏡的下表面的面積為Bb,并且比率Bb/Ab的范圍從1.30至2.43。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,其中
所述比率Br/Ar為1.62,所述比率Bg/Ag為1.77,所述比率Bb/Ab為1.55。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,其中
所述透鏡層包括第一透鏡層和在所述第一透鏡層與所述對(duì)電極之間的第二透鏡層,所述第二透鏡層具有比所述第一透鏡層的折射率小的折射率。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備,其中
所述第二透鏡層包括在朝向所述對(duì)電極的方向上凹入的凹部,所述第一透鏡層填充所述凹部,并且所述聚光透鏡的所述下表面的所述面積為所述第二透鏡層的在朝所述第一透鏡層的方向的表面中所述凹部的面積。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設(shè)備,其中
所述凹部具有所述第二透鏡層的未凹入部分的厚度的2/5至3/5的深度。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備,其中
所述第二透鏡層包括光致抗蝕劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備,其中
所述第二透鏡層包括丙烯酸酯。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備,其中
所述第一透鏡層或所述第二透鏡層包括通過紫外線的照射而固化的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示設(shè)備,其中
所述第一透鏡層包含氧化鋯、氧化鋁和氧化鈦中的至少一種和硅氧烷。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設(shè)備,進(jìn)一步包括:
封裝層,所述封裝層包括至少一個(gè)無機(jī)封裝層和至少一個(gè)有機(jī)封裝層,其中所述透鏡層直接設(shè)置在所述封裝層上。
13.一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備,包括:
多個(gè)像素電極,各自與至少紅色像素、綠色像素和藍(lán)色像素中的一個(gè)對(duì)應(yīng);
像素限定層,覆蓋所述多個(gè)像素電極中的每個(gè)像素電極的邊緣,并且暴露所述多個(gè)像素電極中的每個(gè)像素電極的中心部分;
中間層,在所述多個(gè)像素電極之上,所述中間層包含發(fā)射層;
對(duì)電極,在所述中間層之上;以及
透鏡層,在所述對(duì)電極之上,所述透鏡層包括多個(gè)聚光透鏡,所述多個(gè)聚光透鏡各自具有四邊形的下表面,
其中與所述紅色像素對(duì)應(yīng)的像素電極的由所述像素限定層暴露的所述部分的面積為Ar,所述紅色像素之上的聚光透鏡的下表面的面積為Br,并且比率Br/Ar的范圍從1.71至3.36;
其中與所述綠色像素對(duì)應(yīng)的像素電極的由所述像素限定層暴露的所述部分的面積為Ag,所述綠色像素之上的聚光透鏡的下表面的面積為Bg,并且比率Bg/Ag的范圍從1.83至3.82;并且
其中與所述藍(lán)色像素對(duì)應(yīng)的像素電極的由所述像素限定層暴露的所述部分的面積為Ab,所述藍(lán)色像素之上的聚光透鏡的下表面的面積為Bb,并且比率Bb/Ab的范圍從1.66至3.09。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明
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